Эмиттерный переход - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
"Имидж - ничто, жажда - все!" - оправдывался Братец Иванушка, нервно цокая копытцем. Законы Мерфи (еще...)

Эмиттерный переход

Cтраница 5


61 Структура транзистора р-п - р типа ( а и п-р - п типа ( б. [61]

При прямом смещении эмиттерный переход инжектирует неосновные носители - дырки-в область базы. В базе дырки диффундируют от эмиттерной области с меньшей концентрацией к коллекторной - с большей концентрацией.  [62]

В режиме отсечки эмиттерный переход смещается в обратном направлении, а в режиме насыщения коллекторный переход смещается в прямом направлении. В том и другом случаях контроль выходного сигнала входным теряется, что совершенно недопустимо. Поэтому нужно избегать отсечки и насыщения даже при экстремальных значениях выходного напряжения. Кроме этого, выходная мощность транзистора, его выходной ток и напряжение не должны превышать допустимых значений.  [63]

64 Конструкция германиевого сплавного транзистора.| Диаграммы распределения примесей в диффузионно-сплавном транзисторе ( а и результирующая концентрация примесей ( б.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [64]

Диффузионно-сплавные транзисторы имеют сплавной эмиттерный переход и диффузионный коллекторный и получаются в результате вплавления в мовокристалличе-скую пластинку навески из сложного сплава, содержащего в разных концентрациях донорную и акцепторную примеси, которые обладают различными коэффициентами диффузии.  [65]



Страницы:      1    2    3    4    5