Cтраница 5
![]() |
Структура транзистора р-п - р типа ( а и п-р - п типа ( б. [61] |
При прямом смещении эмиттерный переход инжектирует неосновные носители - дырки-в область базы. В базе дырки диффундируют от эмиттерной области с меньшей концентрацией к коллекторной - с большей концентрацией. [62]
В режиме отсечки эмиттерный переход смещается в обратном направлении, а в режиме насыщения коллекторный переход смещается в прямом направлении. В том и другом случаях контроль выходного сигнала входным теряется, что совершенно недопустимо. Поэтому нужно избегать отсечки и насыщения даже при экстремальных значениях выходного напряжения. Кроме этого, выходная мощность транзистора, его выходной ток и напряжение не должны превышать допустимых значений. [63]
Диффузионно-сплавные транзисторы имеют сплавной эмиттерный переход и диффузионный коллекторный и получаются в результате вплавления в мовокристалличе-скую пластинку навески из сложного сплава, содержащего в разных концентрациях донорную и акцепторную примеси, которые обладают различными коэффициентами диффузии. [65]