Эмиттерный переход

Cтраница 1

Эмиттерный переход n - типа получают диффузией мышьяка в кварцевой запаянной ампуле при вакууме б - Ю 4 мм рт. ст. Источником диффузии служит чистый мышьяк марки В-5 или В-6, предварительно очищенный от окислов. Диффузия проходит при температуре 700 С в течение нескольких минут. [1]

Эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный - в прямом ( оэ. [2]

Распределение примесей в базе дрейфового транзистора. [3]

Эмиттерный переход у дрейфовых транзисторов, как правило, ступенчатый. [4]

Эмиттерный переход открыт, а коллекторный переход закрыт, в этом режиме через эмиттерный переход протекают потоки основных носителей, а через коллекторный переход - потоки неосновных носителей. Активный режим работы является основным режимом работы транзистора. [5]

Эмиттерный переход начинает смещаться в прямом направлении - транзистор переходит в активный режим. С этого момента ток базы стабилизируется, источник базового смещения ограниченной мощности способен оттянуть на себя из базы только часть потока электронов, поступающего в базу из слоя умножения. Остальная часть, заряжая базу отрицательно и открывая эмиттерный переход, участвует в усилительном процессе транзистора. [6]

Эмиттерный переход ( между точками э - б), имеющий смещение - в, прямом направлении, представлен на эквивалентных схемах рис. 2.146, в сопротивлением гэ и емкостью Сэ. Выясним физический смысл этих величин, их расчет и количественные значения. [7]

Эмиттерный переход включен в прямом направлении, его ширина мала и изменения ее при колебаниях выходного напряжения не влияют на работу триода. Ширина коллекторного перехода, включенного в непропускном направлении, гораздо больше; этот переход почти весь расположен в области базы, имеющей значительное объемное сопротивление. Поэтому - изменение ширины коллекторного перехода, происходящее из-за отклонений выходного напряжения, вызывает практически равное приращение толщины базы, а изменения толщины базы ] заметно влияют на ток и напряжение на эмиттерном переходе. Следовательно, в реальном триоде, помимо обратной связи по току, существует обратная связь по напряжению. [8]

Распределение примесей в базе дрейфового транзистора. [9]

Эмиттерный переход у дрейфо вых транзисторов, как правило ступенчатый. Поскольку гранич ная концентрация доноров в баз Л / д ( 0) велика, концентрация акцеп торов в эмиттере должна быть ещ большей и эмиттерный переход получается очень узким. В результат при подаче на эмиттер отрицательного запирающего напряжение этот переход легко пробивается. Пробой носит туннельный характе ] ( см. § 2 - 7) и происходит при очень небольшом напряжении ( 1 - 2 в) Пробой эмиттера оказывает значительное влияние на работу многи: импульсных схем, в которых запирание транзистора является необхо димым элементом рабочего цикла. Эта важная специфика дрейфовы: транзисторов не является, однако, препятствием для применения и: в ключевых схемах, так как пробой перехода при ограничен ном токе является обратимым явлением ( как в полупроводниково. Инжекция режиме пробоя, как известно, отсутствует, и, следовательно, по кол лекторной цепи транзистор остается запертым. [10]

Эмиттерный переход включается в прямом направлении, поэтому ( г) к - Мвнешн) I K, в то же время для коллекторного перехода внешн Фк - Значение я составляет обычно не более 0 3 - 0 4 в для германиевых транзисторов и около 0 8 в для кремниевых. Величина отпирающего напряжения не может превышать этой величины. В данном случае речь идет о падении напряжения непосредственно на переходе. [11]

Эмиттерный переход Ях в период запирания двухоперационного тиристора остается открытым, и имеющая поэтому место небольшая инжекция дырок несколько затягивает процесс удаления избыточных носителей из баз, а также этап их рекомбинации в глубинных слоях толстой базы. [12]

Типичный эмиттерный переход в интегральном устройстве обладает емкостью порядка Ю5пф / см., в то время как переход коллектор-база HMeef емкость примерно на порядок меньше. Конденсатор, сделанный из эмиттерного перехода, будет иметь пробивное напряжение, равное приблизительно 6 в, что ограничивает его применимость. [13]

Прямосмещенный эмиттерный переход обладает малым сопротивлением, поэтому даже незначительные изменения потенциала в цепи эмиттера uaE3 - - U ( вследствие изменений напряжения сигнала t / вх на входе) вызовут большие изменения тока. Изменения тока эмиттера приведут к изменению тока и напряжения в выходной ( коллекторной) цепи. [14]

Эмиттерный переход дрейфового транзистора пробивается гари сравнительно малых обратных наиряжениях. Сопротивление эмиттерного перехода закрытого транзистора вследствие пробоя оказывается весьма малым. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5