Сплавной переход

Cтраница 1

Сплавные переходы с диффузионным экраном целесообразно изготовлять на германии с удельным сопротивлением, не превышающим 6 - 7 ом-см. [1]

Последовательные стадии изготовления. [2]

Сплавные переходы отличаются резким ( практически скачкообразным) изменением концентрации примеси, введенной из навески. [3]

Сплавной переход образуется в результате вплавлеиия в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорныеили акцепторные ( в зависимости от типа проводимости базы) примеси. Так, при изготовлении сплавного германиевого диода применяют вплавление сплава индий-галлий в германий с проводимостью n - типа или мышьяка в германий р-типа. [4]

Кремниевые сплавные переходы изготавливаются при более высоких температурах, чем германиевые. Широко распространен способ вплавления алюминиевого электрода в кристалл кремния. В противоположную поверхность кристалла вплавляется золотая фольга, образующая слой рекристаллизованного кремния с повышенной электронной проводимостью. Полученный тг-тг - переход образует омический контакт с основным кристаллом. [5]

В случае сплавных переходов удельное сопротивление со стороны вплавления пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением исходного кремния, соответствующий член уравнения исчезает, и теоретическое напряжение пробоя будет линейной функцией исходного сопротивления кремния. [6]

При обработке сплавных переходов кристаллы берут пинцетом за вплавленные электроды; при обработке диффузионных переходов используют вакуумные пинцеты - присоски, которые удерживают кристаллы за плоскую поверхность. [7]

При изготовлении сплавных переходов на кремнии в качестве флюса применяют фтористый цезий ( CsF), который восстанавливает пленку окиси кремния. [8]

Последовательные стадии изготовления. [9]

Основной недостаток технологии сплавных переходов заключается в значительном разбросе глубины вплавления примеси, что, в частности, не позволяет получать точно контролируемые узкие базовые области, необходимые для ВЧ транзисторов. [10]

Сплавные переходы маломощного транзистора. [11]

Однако при изготовлении сплавных переходов большой площади для мощных диодов и транзисторов очень трудно обеспечить нужную степень однородности переходов и равномерность припайки электродов. [12]

На рис. 5.5 изображен сплавной переход, в котором изменение концентрации от проводимости р-типа к проводимости - типа происходит на расстоянии порядка 0 1 мкм. Это расстояние называется шириной металлургического перехода. [13]

Принцип устройства дрейфового транзистора.| Принцип устройства сплавного транзистора. [14]

Бездрейфовые транзисторы могут иметь сплавные переходы, полученные по такой же технологии, как у диодов. Эти транзисторы принято называть сплавными. В основную пластинку полупроводника с двух сторон вплавляются примеси, образующие эмиттерную и коллекторную области. Так как на коллекторном переходе рассеивается большая мощность, то он обычно имеет значительно большие размеры, чем эмиттерный переход. Однако могут быть изготовлены и симметричные сплавные транзисторы, у которых оба перехода одинаковы. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5