Сплавной переход

Cтраница 2

Для повышения пробивного напряжения сплавных переходов, диффузионный экран которых стравлен неточно до слоя собственной проводимости, целесообразно использовать диффузанты, обладающие большой глубиной диффузии и малой растворимостью в германии. Острота этих требований возрастает по мере увеличения удельного сопротивления германия, на котором выполнены сплавные переходы. [16]

Показана возможность устранения поверхностного пробоя сплавных переходов путем защиты их диффузионным экраном. [17]

Зависимость пробивного напряжения сплавных перехо. [18]

Из сопоставления значений пробивных напряжений сплавных переходов без диффузионного экрана ( точка fDt О на рис. 8) и с диффузионным экраном видно, что диффузионный экран повышает пробивное напряжение сплавных переходов примерно в 1 5 - 2 5 раза. [19]

Диффузионный экран увеличивает пробивное напряжение реальных сплавных переходов в 1 5 - 2 5 раза в зависимости от удельного сопротивления германия. На сплавных переходах, изготовленных из германия с низким удельным сопротивлением ( порядка 1 - 2ом - см) диффузионный экран полностью устраняет поверхностный пробой. [20]

Зависимость пробивного напряжения сплавных переходов с диффузионным экраном от времени травления. [21]

Характерной особенностью кривых зависимости пробивного напряжения сплавных переходов с диффузионным экраном от времени травления является максимум, разделяющий кривые на две ветви. [22]

С целью увеличения глубины модуляции целесообразно выполнять сплавной переход в виде кольца, охватывающего брусок германия. Эта диафрагма обычно называется каналом, откуда и происходит название этого типа транзистора. [23]

Распределение напряжения вдоль диффузионного перехода. [24]

Диффузионный слой, способствующий устранению поверхностного пробоя сплавных переходов, назван нами диффузионным экраном. [25]

Как уже отмечалось, в процессе травления сплавных переходов с диффузионным экранам трудно создать на поверхности слой собственной проводимости. Различия в плотности дислокаций, имеющиеся в различных пластинках германия, влияют на глубину диффузии золота, а различия в величине удельного сопротивления этих же пластинок сказываются на расстоянии слоя собственной проводимости диффузионного р-п перехода от поверхности. [26]

В настоящей статье рассмотрена возможность устранения поверхностного пробоя сплавных переходов путем защиты их диффузионным переходом. На рис. 2 показана структура, состоящая из двух переходов, в которой рабочим является сплавной переход, а защитным - диффузионный. [27]

Первый туннельный диод был получен случайно, при исследовании очень узких сплавных переходов, изготовленных на сильнолегированном электронном германии. Первые сообщения об этом новом своеобразном полупроводниковом приборе были опубликованы в начале 1958 г. профессором Токийского университета Лео Еса-ки. Своим названием этот прибор обязан тому, что механизм преодоления носителями перехода в этом приборе основан на туннельном эффекте. [28]

Схемы включения транзистора. а - с общей базой. б - с сбщим эмиттером. з - с общим коллектором. [29]

На рис. 4 - 3 показан разрез бездрейфового транзистора со сплавными переходами ( см. § 4 - 13), имеющего дисковую структуру. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5