Сплавной переход

Cтраница 4

Наносят эмаль металлической или стеклянной иглой, окуная ее в тигелек с хорошо перемешанной эмалью и прикасаясь каплей эмали к основанию столбика, если защищают сплавной переход, или заливают ею весь лериметр кристалла, если обрабатывают диффузионную структуру. Лишнюю эмаль удаляют с иглы, протирая ее миткалем, смоченным толуолом. [46]

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник ( с последующей рекристаллизацией полупроводника) металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии примеси в полупроводник, - диффузионным. [47]

Ьхр и дхп - допустимое отклонение от слоя собственной проводимости диффузионного экрана в сторону р - или n - области, при котором устраняется поверхностный пробой сплавных переходов. [48]

Из сопоставления значений пробивных напряжений сплавных переходов без диффузионного экрана ( точка fDt О на рис. 8) и с диффузионным экраном видно, что диффузионный экран повышает пробивное напряжение сплавных переходов примерно в 1 5 - 2 5 раза. [49]

Протекание тока. [50]

Предположим, что ток, вытекающий из области / ( рис. 3), в которой началось умножение, равномерно растекается по области диффузионного перехода, ограниченной касательными к окружности, радиусом, равным радиусу сплавного перехода. [51]

Ввиду того, что на различных слитках германия, соответствующих одной марке, а также в пределах одного и того же слитка обычно имеется большой разброс в величине удельного сопротивления, при исследовании зависимости пробивного напряжения сплавных переходов от удельного сопротивления германия использовался статистический метод обработки результатов. За экспериментальное значение пробивного напряжения, характеризующее заданное удельное сопротивление, принималось значение пробивного напряжения, соответствующее 50 % измеренных переходов по интегральной кривой распределения. [52]

По мере увеличения глубины диффузии влияние погрешностей травления должно слабее сказываться на величине пробивного напряжения сплавных переходов с диффузионным экраном и пробивное напряжение таких переходов должно возрастать, стремясь в пределе к теоретическому значению, соответствующему пробою в объеме сплавного перехода. Согласно выражению ( 8) при увеличении удельного сопротивления германия, на котором выполнены сплавные переходы с диффузионным экраном, повышаются требования к точности травления диффузионного перехода. [53]

Изготовливают ( р-п) - переходы несколькими способами. Сплавной переход получают нагреванием в печи полупроводникового монокристалла, например германия n - типа, на поверхность которого помещается кусочек индия. Другой способ получения ( р-п) - перехода основан на диффузии примеси в полупроводник из газовой фазы; такой переход называют диффузионным. [54]

Диффузионный экран увеличивает пробивное напряжение реальных сплавных переходов в 1 5 - 2 5 раза в зависимости от удельного сопротивления германия. На сплавных переходах, изготовленных из германия с низким удельным сопротивлением ( порядка 1 - 2ом - см) диффузионный экран полностью устраняет поверхностный пробой. [55]

Структура р - n - перехода и его вольт-амперная характеристика. [56]

Для изготовления полупроводниковых приборов с заданными электрическими характеристиками необходимо очень точно выдержать - размеры областей кристалла с разными типами электропроводности. В сплавном переходе конфигурация отдельных областей сильно зависит от точности поддержания температуры, толщины пластинки, времени вплавл ения и количества примесей. Ничтожные отклонения любого показателя от номинального значения приводят к большому разбросу электрических параметров полупроводниковых приборов. Диффузионный процесс более медленный и лучше управляемый. Поэтому с помощью диффузии удается выдержать размеры различных областей более точно. [57]

Максимальная величина пробивного напряжения соответствует травлению диффузионного экрана до слоя собственной или близкой к собственной проводимости. Время травления сплавных переходов с диффузионным экраном до максимального значения пробивного напряжения определяется глубиной диффузии. [58]

В настоящее время промышленность выпускает импульсные диоды, основным элементом которых является сплавной р-п переход. Однако емкость сплавных переходов больше, чем точечных, а импульсные диоды должны иметь как можно меньшую емкость. [59]

По технологии изготовления р-я-переходы могут быть разделены на сплавные и диффузионные. Для изготовления сплавного перехода пластинку кремния, например, и-типа тщательно шлифуют до необходимой толщины, затем на ее поверхности укрепляют небольшую таблетку элемента III группы и помещают в печь, где она нагревается до температуры ниже точки плавления полупроводника, но выше точки плавления примеси. В результате происходит вплавление в кристалл примеси и формирование р - - перехода. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5