Сплавной переход

Cтраница 3

Рассмотрено влияние погрешностей травления при создании диффузионного экрана на пробивное напряжение сплавных переходов, выполненных из германия с различным удельным сопротивлением. Приведено экспериментальное исследование сплавных переходов с диффузионным экраном. [31]

Графический расчет зависимости допустимой погрешности травления диффузионного экрана от удельного сопротивления германия. [32]

В этом случае поверхностный заряд действует непосредственно на область объемного заряда сплавного перехода. Однако пониженная концентрация примесей на поверхности диффузионного экрана может оказаться недостаточной для полной компенсации поверхностных зарядов, созданных окружающей средой. [33]

Типичное временное распределение одноэлектронных импульсов, соответствующее световому импульсу от диффузионного р - п-пере-хода на основеЗЮ при запуске в прямом ( а и обратном ( б направлениях.| Временное распределение, соответствующее освещению центральной части ( 1 и всего ( 2 фотокатода. [34]

На рис. 6 приведены типичные распределения, соответствующие световым импульсам от сплавных переходов при запуске их в прямом н обратном направлениях. [35]

Вторым способом, наиболее важным и распространенным, является способ получения сплавных переходов. [36]

Этот случай называется случаем резкого или ступенчатого р-п перехода и соответствует сплавным переходам. Вторым, не менее часто встречающимся случаем является случай плавного или линейного перехода. Этот случай распространяется на переходы, полученные методом диффузии или методом выращивания из расплава. [37]

Зависимость пробивного напряжения сплавных переходов от удельного сопротивления германия. [38]

На рис. 10 ( кривая 2) показана экспериментальная зависимость пробивного напряжения сплавных переходов с диффузионным экраном, полученным при предельной глубине диффузии, от удельного сопротивления германия. Для сравнения на том же рисунке показаны аналогичные расчетная ( кривая 1) и экспериментальная ( кривая 3) зависимости для сплавных переходов. [39]

Малые геометрические размеры функциональных компонентов микросхемы предъявляют особые требования к технике изготовления сплавного перехода. Целесообразно проводить выполнение не таблетки, а предварительно осажденной в вакууме пленки легирующего металла. Возникающие механические напряжения будут в данном случае значительно меньше, чем при вплавлении таблеток. Процесс осаждения в вакууме сам по себе обеспечивает весьма чистые условия. Вплавляемый материал наносят на полупроводник в атомарном виде, что обеспечивает хороший контакт, необходимый для однородного смачивания. При помощи маски легко получить геометрию электродов с точностью, недоступной другими способами. [40]

По мере увеличения глубины диффузии влияние погрешностей травления должно слабее сказываться на величине пробивного напряжения сплавных переходов с диффузионным экраном и пробивное напряжение таких переходов должно возрастать, стремясь в пределе к теоретическому значению, соответствующему пробою в объеме сплавного перехода. Согласно выражению ( 8) при увеличении удельного сопротивления германия, на котором выполнены сплавные переходы с диффузионным экраном, повышаются требования к точности травления диффузионного перехода. [41]

Диффузионный экран, стравленный до слоя собственной проводимости, является эффективным средством устранения поверхностного пробоя сплавных переходов. [42]

Графический расчет зависимости допустимой погрешности травления диффузионного экрана от растворимости диффундирующей примеси. [43]

При увеличении погрешности травления диффузионного экрана сопротивление поверхностного слоя уменьшается, и это должно вызвать развитие поверхностного пробоя сплавного перехода. Напряжение, при котором развивается поверхностный пробой сплавных переходов, должно падать по мере увеличения погрешности травления. [44]

Определим, с какой точностью необходимо травить диффузионный экран до слоя собственной проводимости для того, чтобы устранить поверхностный пробой сплавных переходов. Предположим, что на поверхности сплавного перехода имеется слой повышенного сопротивления р-типа проводимости. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5