Оптический переход
Cтраница 2
Примесные оптические переходы в кремнии можно использовать для создания приемников для далекой инфракрасной области точно так же, как и аналогичные переходы в германии; при этом справедливы те же соображения ( разд. [16]
Разнообразные оптические переходы в примесных атомах, индуцируе-мые падающим излучением подходящей частоты, приводят к образованию целого спектра примесного поглощения. [17]
Поскольку оптические переходы являются прямыми ( сохраняется k), то относительный сдвиг минимума энергии в k - пространстве и диамагнитный сдвиг энергии приводят к ушире-нию и смещению спектра межподзонного поглощения в параллельном магнитном поле. [19]
Если оптические переходы вероятны в поглощении, то они вероятны и в испускании, и между вероятностью испускания флуоресценции и молярным коэффициентом погашения существует прямая связь. Прежде чем обсуждать ее, мы рассмотрим кинетику процесса испускания флуоресценции. [20]
 |
Спектры примесного поглощения.| Спектр примесного поглощения кремния, легированного бором. [21] |
Если оптические переходы происходят между валентной зоной и ионизированным мелким донором или между ионизированным акцептором и зоной проводимости, то энергии поглощаемых в таких переходах квантов должны удовлетворять условию: / ш А. [22]
Вероятность оптического перехода донор - акцептор определяется степенью перекрытия волновых функций комбинирующих состояний и должна резко убывать с увеличением расстояния между примесными центрами. [23]
Вероятности оптических переходов, разрешенных законами сохранения энергии и импульса, определяются матричными элементами оператора взаимодействия электромагнитного поля с решеткой кристалла. Как обычно, для их вычисления необходимо знать волновые функции начального и конечного состояний. [24]
Вероятности оптических переходов между уровнями РЗ-ионов определяются главным образом взаимодействием 4 / - электронов с полем лигандов. Поскольку энергия этого взаимодействия мала по сравнению с другими видами взаимодействий ( кулоновым и спин-орбитальным), его можно рассматривать как возмущение. Первым шагом при этом является вычисление электрического потенциала V, создаваемого окружающими РЗ-ион ионами решетки в месте расположения данного иона. [25]
Для оптических переходов 2я 2 10 - 10 см2 и множитель ws ( i, /) / Г обычно не намного меньше единицы. [26]
После оптического перехода вид потенциальной кривой меняется и состояние тяжелых частиц уже не является равновесным. Следовательно, основными конечными состояниями для такого перехода будут возбужденные состояния с большими квантовыми числами, которые, согласно принципу соответствия Бора, можно приближенно рассматривать классически. [27]
Изучение оптических переходов связано с расчетом возбужденных состояний молекул, который в силу его сложности мало освоен. Поэтому можно считать, что теория оптических свойств молекул только создается. [28]
В оптическом переходе, изображенном на рис. 6.34, начальное и конечное состояния электрона находятся в одной и той же зоне. Поэтому результирующее поглощение на свободных носителях называется внутризонным. Межзонное поглощение на свободных носителях может происходить, если зона, содержащая носители, отделена от другой пустой зоны на величину, меньшую ширины запрещенной зоны. На вставке к рис. 6.36 схематически показаны два таких перехода между спин-отщепленной дырочной зоной ( so) и зонами тяжелых ( hh) и легких ( lh) дырок в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки с р-типом легирования. Три широких пика при 0 15, 0 31 и 0 42 эВ были идентифицированы переходы lh - hh, so - lh и so - - hh соответственно. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5