Оптический переход

Cтраница 3

Если же данный оптический переход запрещен ( гу 2 0), сечение возбуждения при электронном ударе будет определяться матричным элементом, отвечающим квадруполъному излучению. Следовательно, вероятность возбуждения данного уровня электронным ударом должна быть пропорциональна вероятности соответствующего оптического перехода. [31]

Функции возбуждения атома ртути электронным ударом, обнаруживающие два максимума ( по Каган и Захаровой. [32]

Если же данный оптический переход запрещен и, следовательно, величина ( Яц ] 2 равна нулю, сечение возбуждения при электронном ударе будет определяться матричным элементом, отвечающим квадрупольному излучению. Таким образом:, из расчета следует, что вероятность возбуждения данного уровня электронным ударом должна быть пропорциональна вероятности соответствующего оптического перехода. [33]

Чем обусловлены наиболее интенсивные оптические переходы. Почему электромагнитное поле способно ускорить вращающуюся молекулу. Чем должна обладать для этого молекула. [34]

В случае оптических переходов у изолированных атомов или молекул электронная плотность состояний имеет дискретные пики. Для межзонных переходов плотность состояний непрерывна. Если jPvc 2 0 в критической точке MQ, это не означает, что не существует электрического дипольного края поглощения; однако в любом случае плотность состояний в критической точке М равна нулю. Обращение jPvc 2 в нуль точно в критической точке просто означает, что следует рассмотреть возможность того, что jPvc 2 не будет равен нулю для волнового вектора электрона k немного в стороне от критической точки. Это разложение приводит к появлению примеси нечетных волновых функций, в результате чего появляются разрешенные по четности матричные элементы электрического дипольного перехода. [35]

Спектроскопические характеристики оптических переходов и эффективное поде световой волны в конденсированной сре-е. [36]

Форма и расположение изоэнергетических поверхностей в Ge, Si и GaAs. [37]

Однако отсутствие прямых оптических переходов в кремнии и германии исключает возможность изготовления на их основе светодиодов и оптических квантовых генераторов. [38]

Установлена природа низших спин-разрешенных и спин-запрещенных оптических переходов и ре-докс орбиталей, определяющих характер электрохимических процессов их восстановления и окисления. Получены количественные параметры, характеризующие процессы деградации энергии фотовозбуждения и переноса электрона. [39]

Наряду с оптическими переходами между уровнями энергии на практике возможны различные безызлучательные или неоптические переходы. Они отсутствуют только для очень простых и изолированных систем. Реальные же системы подвержены действию внешней среды. Вероятности неоптических переходов могут иметь различное значение в зависимости от характера взаимодействия. В сложных системах переходы между состояниями г - j ( Ei EJ ] происходят также в результате внутренних взаимодействий, причем высвобождающаяся энергия преобразуется в другие ее формы. [40]

Если в оптическом переходе участвует один фотон, то такой переход ( такой процесс взаимодействия излучения с веществом) называют однофотонным. Однофотонный переход сопровождается либо рождением ( испусканием), либо уничтожением ( поглощением) фотона, причем испускание фотона может быть либо спонтанным, либо вынужденным. Они определяют свойства теплового излучения и оптические спектры вещества, лежат в основе как фотоэлектрических, так и люминесцентных явлений. С однофотонными процессами связано и нелинейно-оптическое явление просветления среды. [41]

Изменение спектров испускания ( а и усиления ( б с ростом возбуждения. Т а - 200 К. б - 300 К. Черточки на кривых соответствуют значениям ( F - E2 / kT. [42]

В легированном полупроводнике оптические переходы совершаются с участием как основных, так и примесных состояний. Если активный слой лазера расположен в р-области диода, то решающую роль играют переходы зона проводимости-акцепторные состояния и межзонные переходы. В этом случае при сильном легировании, хотя и перекрываются примесные состояния с состояниями валентной зоны, может оказаться, что функция плотности суммарных состояний немонотонна, а имеет перешеек вблизи потолка валентной зоны. [43]

Формула (3.58) учитывает оптические переходы только из одной валентной зоны. На самом деле ситуация немного сложнее, поскольку приходится принимать во внимание переходы как из валентной зоны легких дырок, так и из валентной зоны тяжелых дырок. [44]

Контурная картина расчетных значений силы осциллятора Л / ( Я, Яг для Вс2, Bvl, прямозонных переходов, W 0 4, - у0. Линии соответствуют значениям силы осциллятора М ( Е, Я2 10 3, где п 0, 1, ..., 6. Заштрихована область, соответствующая значениям Л / ( Я, Е I [ П ].| Спектр межзонного поглощения, рассчитанный для В. 2, BV 1, прямозонных переходов н у 0. На оси ординат отложен квадратный корень поглощенной интенсивности. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5