Межзонный переход
Cтраница 1
Межзонный переход для этого материала является прямым и имеет довольно большой матричный элемент, а потери за счет поглощения на свободных носителях на частоте перехода малы. [1]
Межзонный переход для этого материала является прямым и имеет довольно большой матричный элемент, а потери за счет поглощения на свободных носителях на частоте перехода малы. Лазерная генерация в GaAs с длиной волны 0 84 мкм происходит главным образом в материале р-типа вблизи перехода в области толщиной 1 - 10 мкм. [2]
Однако межзонные переходы в полупроводниках не всегда сопровождаются излучением электромагнитной энергии; наблюдаются также безызлучательные переходы, когда энергия рассе ва-ется в кристаллической решетке в виде фононов. [3]
 |
Спектрограмма желтой водородоподобной серии линий поглощения экситопа в Сн2О при 4 2 К. Сверху указан номер членов серии, частоты к-рых удовлетворяют водородоподобной сериальной формуле. [4] |
Кроме межзонных переходов, в кристаллах возможны внутризонныо переходы, напр. Эти переходы приводят к появлению полос поглощения в длинноволновой стороне от края полосы основного поглощения нек-рых полупроводников / j - тииа. Возможно также поглощение свободными носителями ( электронами и дырками) при переходах в пределах одной подзоны. [5]
 |
Поверхность Ферми с перемычкой ( о. Внутри одной поверхности Ферми ( б расположена другая ( траектории, обозначенные стрелками, принадлежат разным зонам. [6] |
При межзонном переходе с орбиты на орбиту; направление движения электрона не меняется и вероятность W - 1 при Я - со. [7]
Что касается межзонных переходов, то аналогом здесь является линейчатый спектр атомов. Коэффициент поглощения света определяется антиэрмитовой частью тензора х через которую со -: гласно гл. [8]
Ъстова и межзонных переходов в диэлектрическую проницаемость; т - эффективная масса электрона. [9]
ФУ соответствует межзонным переходам. [10]
Поглощение при непрямых межзонных переходах, как и поглощение на свободных носителях, сопровождается фо ионным взаимодействием. Поэтому их величины могут иметь близкие значения. Однако поглощение электромагнитной волны при прямых переходах в полупроводниках, как правило, превышает поглощение на свободных носителях. [11]
Это так называемые межзонные переходы и они соответствуют коротковолновой части спектра, где большую роль играют квантовые эффекты. Поглощение в этом случае называют собственным. [12]
Для установления характера межзонных переходов большую информацию дает исследование спектров люминесценции. [13]
Время релаксации для межзонных переходов колеблется от 10 3 до 10 - 9дас, поэтому эта возможность оказывается вполне реальной. [14]
Эти процессы соответствуют межзонному переходу с испусканием фонона. Аналогичные выражения для ( д / dt) st могут быть получены для примесного и кулоновского взаимодействий ( о) о / Я. [15]
Страницы: 1 2 3 4