Cтраница 3
Собственным называется поглощение, вызванное межзонными переходами, так как оно не связано с примесями и со свободными электронами. [31]
Казалось бы, х определяется только межзонными переходами. [32]
Рассмотреть критическую точку минимума М0 для прямых межзонных переходов, предполагая, что параболическое разложение плотности состояний вблизи М0 справедливо вплоть до значений энергии, равных бесконечности, и что матричные элементы р постоянны. [33]
Общий вид коэффициента поглощения, обусловленного прямыми межзонными переходами, показан на фиг. [34]
Поскольку энергия фотона недостаточна, чтобы вызвать межзонные переходы, то главный эффект заключается в изменении энергетического состояния электрона внутри одной энергетической зоны. Если все энергетические состояния внутри зоны заполнены, никакое изменение состояний внутри зоны невозможно вследствие принципа запрета, который запрещает более чем одному электрону занимать данное состояние. Поэтому внутризонное поглощение, которое заключается в поглощении излучения и возбуждении электронов внутри зоны, можег иметь место только для частично заполненной энергетической зоны. В полупроводниках в этом взаимодействии участвуют в основном электроны со дна зоны проводимости, известные под названием свободных носителей. Поэтому внутризонное поглощение также называется поглощением на свободных носителях. [35]
Поскольку энергия фотона недостаточна, чтобы вызвать межзонные переходы, то главный эффект заключается в изменении энергетического состояния электрона внутри одной энергетической зоны. Если все энергетические состояния внутри зоны заполнены, никакое изменение состояний внутри зоны невозможно вследствие принципа запрета, который запрещает более чем одному электрону занимать данное состояние. Поэтому внутризонное поглощение, которое заключается в поглощении излучения и возбуждении электронов внутри зоны, может иметь место только для частично заполненной энергетической зоны. В полупроводниках в этом взаимодействии участвуют в основном электроны со дна зоны проводимости, известные под названием свободных носителей. Поэтому внутризонное поглощение также называется поглощением на свободных носителях. [36]
Далее будет показано, что в случае межзонных переходов имеется близкое сходство между тепловым и рекомбинационным излучением. Фактически при не слишком высоких уровнях инжекции величину последнего можно вычислить, зная первое. [37]
Возникают при электронных переходах в молекулах или межзонных переходах в кристаллах. В спектрах простых молекул электронные полосы распадаются на более или менее узкие колебат. [38]
Кроме того, в окрестности L-точки располагаются самые низкоэнергетические межзонные переходы, которые должны приводить к особенностям в оптических и магнитооптических спектрах. [39]
Когда fico больше энергии, необходимой для осуществления межзонных переходов, проводимость сильно возрастает, и внутризонным поглощением или поглощением на свободных носителях обычно пренебрегают по сравнению с межзонным. Эта тема будет рассмотрена в § 4 настоящей главы. [40]
Во-вторых, при / zv EG существует возможность межзонных переходов в полупроводнике, и если коэффициент поглощения достаточно велик, то вполне вероятно, что электронно-дырочные пары, возбужденные светом в пределах диффузионной длины от истощенного слоя, будут давать вклад в фототок. [41]
У металлов Си, Ag, Аи благодаря сильным межзонным переходам резонанс свободных электронов в области энергии Й ( ор - 9 эВ полностью подавлен, а вместо него появляется пик поглощения с энергией Йсо7 - - 7 5эВ для Си, Й ( о3 7н - 3 8 эВ для Ag и. Эти пики носят гибридный характер, ближе соответствующий межзонным переходам, нежели возбуждению свободных электронов. [42]
Этот термин широко используется для фотопроводимости, обуслевленной межзонными переходами, что необязательно подразумевает использование материала с собственной проводимостью, и обычно для оптимизации характеристик используемый материал соответствующим образом легируется. [43]
Эффекты Фарадея и Фойгта могут наблюдаться и при межзонных переходах. [44]
Оценим с помощью (15.1) коэффициент поглощения света на межзонном переходе. [45]