Межзонный переход

Cтраница 4

Собственное поглощение при прямых ( а и непрямых ( б межзонных переходах. [46]

Рассмотрим собственное поглощение при прямых ( вертикальных) межзонных переходах для полупроводника со стандартной зоной. [47]

Когда частота падающего излучения недостаточно велика, чтобы вызвать межзонные переходы или привести к образованию экситонов, свет может поглощаться кристаллом в результате возбуждения колебаний решетки или внутризонных электронных переходов. [48]

Дальнейшее повышение температуры вызывает увеличение концентрации электронов за счет межзонных переходов. [49]

Поэтому более вероятно получение лазерного действия в полупроводнике с прямыми межзонными переходами. При этом из условия (7.2.4) следует, что газ носителей заряда по крайней мере в одной из зон должен быть вырожденным. Таким образом, для осуществления лазера на полупроводнике необходимо применять достаточно сильно легированные кристаллы. [50]

Страницы: 1 2 3 4