Межзонный переход

Cтраница 2

Теория Друде пренебрегает межзонными переходами, представленными в ( 397) членами под знаком суммы, и учитывает только движение свободных электронов. [16]

Спектральное распределение фотопроводимости в соединениях АШВХ. [17]

В полупроводниках с непрямыми межзонными переходами ( GaP) вероятность межзонной рекомбинации значительно меньше. [18]

Край собственного поглощения.| Положение края собственного поглощения в полупроводниках A 1BV.| Край собственного поглощения фосфида галлия. [19]

Собственное поглощение определяется межзонными переходами электронов из заполненной зоны в свободную. Так как в полупроводнике имеется много заполненных и свободных зон, каждая из которых состоит из нескольких подзон, то в спектрах фундаментального поглощения наблюдаются полосы собственного поглощения. Форма края собственного поглощения зависит в первую очередь от структуры энергетических зон. [20]

В полупроводниках первого вида межзонный переход электрона в результате собственного поглощения сопровождается лишь изменением его энергии. Импульс электрона остается практически неизменным. Такие переходы называют прямыми или вертикальными. [21]

При комнатной температуре для межзонных переходов выполняется условие / iv k0T, и единицей в знаменателе выражения (8.54) можно пренебречь. [22]

При комнатной температуре для межзонных переходов выполняется условие / iv k0T, и единицей в знаменателе выражения (8.117) можно пренебречь. [23]

При комнатной температуре для межзонных переходов выполняется условие / iv k0T, и единицей в знаменателе выражения (8.54) можно пренебречь. [24]

Это выражение справедливо для межзонных переходов. Из него следует, что квадратичная зависимость Ф от длины волны в этом случае уже не имеет места. [25]

Основные правила отбора для межзонных переходов имеют вид А / 0, Akz 0 с Ат3 1 при Е L В и Дт3 0 при Е В. Ниже дана сводка наиболее существенных переходов при комбинационном рассеянии с участием как валентной зоны, так и зоны проводимости. [26]

Определить особенности Ван-Хова [35] для прямых межзонных переходов между этими зонами. Определить форму мнимой части диэлектрической проницаемости е; около каждой из этих особенностей, предполагая, что переходы являются разрешенными. Схематически изобразить энергетический спектр. [27]

Определить особенности Ван-Хова [35] для прямых межзонных переходов между этими зонами. Определить форму мнимой части диэлектрической проницаемости ег около каждой из этих особенностей, предполагая, что переходы являются разрешенными. Схематически изобразить энергетический спектр. [28]

Определим теперь проводимость, создаваемую межзонными переходами в случае полупроводника, для которого энергия фотона падающего излучения близка к ширине энергетической щели между зонами. Переход показан вертикальной линией, поскольку начальное и конечное значения k равны. [29]

Непрямые межзонные переходы с участием фононов. [30]

Страницы: 1 2 3 4