Коллекторный переход - транзистор
Cтраница 1
Коллекторный переход транзистора Тг используют в детекторе АРУ. [1]
Если включить коллекторный переход транзистора по схеме, показанной на рис. 1.67 а, то микроамперметр отметит в цепи коллектор-база ток, хотя переход включен в запорном направлении. Этот весьма небольшой ток / Кб0 называется обратным током коллектора. [2]
При сопротивлениях коллекторных переходов транзисторов VT16, VT17 около 200 МОм необходимо иметь Ли. [3]
Обратный ток коллекторного перехода транзистора П14А равен 2 мка при напряжении между коллектором и базой 5 в и отключенном эмиттере. [4]
Проанализировано поведение коллекторных переходов транзисторов при высоких плотностях тока с учетом лавинного размножения носителей. Найдено распределение поля в ступенчатом и линейном переходах для различных токов и коэффициентов умножения. Показано, что в зависимости от величины коэффициента умножения М базовая граница зарядного слоя с ростом тока смещается либо к эмиттеру, либо к омическому контакту коллектора, что приводит либо к уменьшению, либо к увеличению времени пролета неосновных носителей через область базы. [5]
Диод Д2 защищает коллекторный переход транзистора от перенапряжений при отключении индуктивной нагрузки. [6]
Для определения температуры коллекторного перехода транзистора, работающего в непрерывном режиме, необходимо воспользоваться условиями эквивалентности (5.3), следующими из электротепловой аналогии. [7]
Взаимное влияние температуры коллекторного перехода транзистора и режима его работы обусловливает тепловую положительную обратную связь, глубина которой существенно зависит от стабилизации рабочей точки. [8]
Максимально допустимая температура коллекторного перехода транзистора, описанного в задачах 8.167 и 8.168, равна 90 С. Чему равна максимально допустимая мощность, выделяемая на коллекторном переходе без теплоотвода и с теплоотводом при температуре окружающей среды ГС40 С. [9]
 |
Способы соединения регулирующих транзисторов. [10] |
С повышением температуры коллекторного перехода транзистора Т ( рис. 9.7) возрастает обратный ( тепловой) ток коллектора / ко, направленный от базы к коллектору. При некотором значении тока нагрузки ток базы Т и ток эмиттера Т % в сумме станут равными нулю и нормальная работа схемы нарушится. [11]
 |
Схема включения транзистора с обшей базой. [12] |
Электрическое поле в коллекторном переходе транзистора состоит из постоянной составляющей, созданной внешним источником питания в цепи коллектора, и переменной составляющей, возникающей при экстракции неосновных носителей из базы в коллекторный переход. Мгновенные значения переменной составляющей электрического поля в любой момент времени направлены в сторону, противоположную постоянной составляющей. [13]
Его насыщение вызовет отпирание коллекторного перехода транзистора, который в активном режиме был смещен в обратном направлении. Это приведет к изменению постоянной времени транзистора - она принимает новое значение вн, после чего начинается накопление заряда в базе насыщенного транзистора. Внешне, на графиках коллекторного тока и напряжения, процесс накопления не отражается ( рис. 3.85, г, д): по-прежнему коллекторный ток равен / кн, а напряжение на коллекторе - UKH. [14]
При максимально допустимой температуре коллекторного перехода транзистора П4 в 90 С и его тепловом сопротивлении 2 С / ег расчет минимально допустимой поверхности охлаждения радиатора, проведенный так же, как на стр. [15]
Страницы: 1 2 3 4