Коллекторный переход - транзистор
Cтраница 3
 |
Простейшая схема последовательного транзисторного. [31] |
Переменная - составляющая выпрямленного напряжения шадает на коллекторном переходе транзистора. Поэтому величина среднего значения коллектор-лого напряжения должна быть выбрана так, чтобы разность среднего значения коллекторного напряжения и амплитуда пульсации были больше минимально допустимого значения коллекторного напряжения. [32]
При указанной на рисунке полярности источника питания Е коллекторный переход транзистора смещен в обратном направлении. Для эмиттерного перехода данная полярность напряжения Е является отпирающей. Запертый коллекторный переход ограничивает ток в цепи на уровне / ко. Этот ток9, не находя выхода в базовой цепи, замыкается через открытый эмиттерный переход. [33]
В области верхних частот необходимо учитывать барьерные емкости коллекторных переходов транзисторов, сопротивления которых снижаются с ростом частоты, шунтируя нагрузку и уменьшая ее сопротивление. Кроме того, вследствие конечной скорости перемещения неосновных носителей заряда через базу появляются фазовые сдвиги между токами на входе и выходе транзисторов. При этом коэффициент передачи тока базы hz 3 транзисторов уменьшается по модулю. [34]
Этот ток является важным параметром полупроводникового диода, коллекторного перехода транзистора и других полупроводниковых приборов с р-п переходами. Кроме того, в этот ток часто входят различные по физической природе поверхностные утечки и другие составляющие. [35]
В области верхних частот необходимо учитывать барьерные емкости коллекторных переходов транзисторов, сопротивления которых снижаются с ростом частоты, шунтируя нагрузку и уменьшая ее сопротивление. [36]
 |
Принципиальная схема включения транзистора в качестве нагревателя. [37] |
Значительный интерес представляет использование в качестве кондуктивного нагревателя коллекторного перехода транзистора, по которому проходит электрический ток. На рис. 35 показана схема включения транзистора в режиме нагрева. [38]
 |
Электромонтажная схема платы РКВ радиоприемника Лепинград-006 стерео. [39] |
Повышение напряжения на коллекторе транзистора TI вызывает смещени коллекторного перехода транзистора ТЗ в прямом направлении и приводит к ув личению шунтирования контура LIC6 проводимостью коллекторного переход этого транзистора. Это в спою очередь приводит к снижению усиления каскоднс го усилителя и уменьшению сигнала ПЧ. [40]
Этот выброс опасен, поскольку он может вызвать пробой коллекторного перехода транзистора. Для уменьшения величины выброса коллекторную обмотку трансформатора шунтируют цепью, состоящей из диода Д и резистора, включаемого для уменьшения постоянной времени перемагничива-ния индуктивности L трансформатора. [41]
В связи с этим в настоящей работе анализируется поведение коллекторного перехода транзистора при высоких плотностях тока с учетом лавинного размножения носителей в переходе. [42]
 |
Микросхема ТТЛ [ IMAGE ] Модель микросхемы ТТЛ. [43] |
При этом ток, отбираемый от источника Е, через коллекторный переход транзистора Г ] поступает в базу транзистора Та, выполняющего функции инвертирующего усилителя. [44]
 |
Выходная динамическая характеристика усилительного. [45] |
Страницы: 1 2 3 4