Коллекторный переход - транзистор
Cтраница 4
Из сравнения полученных величин видно, что в режиме В в коллекторном переходе транзистора при одинаковой мощности сигнала 1В нагрузке рассеивается значительно меньшая мощность, чем в режиме А, В то же время в режиме В происходит заметное увеличение коэффициента нелинейных искажений. [46]
Из коллекторной цепи транзистора Tt сигнал подается на внешний фазоинвертирующии каскад через коллекторный переход транзистора Ть, что позволяет уменьшить нелинейные искажения, вносимые оконечным усилителем при малых уровнях сигнала. [47]
Можно не вводить варикап в селектор и непосредственно воздействовать на нестабильную емкость коллекторного перехода транзистора VT2, изменяя напряжение, приложенное к этому переходу. При этом удается не вторгаться в резонаторную камеру гетеродина - в четвертый отсек селектора с четвертьволновой линией L7 ( рис. 48) - и переносить туда сильную расстройку. Изменять напряжение на коллекторном переходе транзистора VT2 удается, вводя управляемое сопротивление в цепь его коллектора. [48]
При этом потенциал базы транзистора Г3 повышается, что вызывает увеличение сопротивления коллекторного перехода транзистора Т и понижение выходного напряжения стабилизатора. При снижении выходного напряжения до некоторого минимального значения происходит срыв генерации релаксационного генератора и сопротивление коллекторного перехода транзистора Т вновь резко уменьшается, повышая выходное напряжение стабилизатора. [49]
Установив переключатель рода работ в положение 17, производят измерение обратного тока коллекторного перехода транзистора, выключатель - Вк2 должен быть выключен. Для измерения начального тока коллектора выключатель Вк2 должен быть включен, с тем чтобы были замкнуты накоротко выводы эмиттера и базы. [50]
Имеется возможность не вводить варикап в селектор и непосредственно воздействовать на нестабильную емкость коллекторного перехода транзистора Т2, изменяя напряжение, приложенное к этому переходу. При этом удается не вторгаться в резонаторную камеру гетеродина - в четвертый отсек селектора с четвертьволновой линией L7 ( рис. 35) и не вносить туда сильную расстройку. Изменять напряжение на коллекторном переходе транзистора Т2 удается, вводя управляемое сопротивление в цепь его коллектора. [51]
 |
Каскодная схема резонансного усилителя на интегральной микросхеме. [52] |
Каскодная схема обладает высокой устойчивостью по отношению к самовозбуждению, так как через емкость коллекторного перехода транзистора Т2 обратная связь в каскодной схеме не передается. Эта емкость входит в емкость колебательного контура. Паразитная емкость коллектор - эмиттер транзистора Т2 передает малое напряжение на эмиттер, так как сопротивление эмиттер-база мало. Это малое напряжение передается на базу транзистора 77 через его емкость коллектор - база. [53]
На высоких частотах спад коэффициента передачи напряжения в основном определяется частотными свойствами и емкостью коллекторного перехода Ск транзистора. [54]
 |
Генератор с повторительной следящей связью. а - принципиальная схема. б - временные диаграммы. [55] |
Амплитуда выходного напряжения Um ограничена условием C / g2 Uc Ек с тем, чтобы коллекторный переход транзистора Г2 работал с обратным смешением. [56]
Общим недостатком всех схем двухтактных каскадов с выводом средней точки нагрузки является высокое обратное напряжение на коллекторных переходах транзисторов, равное 1Un, что снижает надежность усилителя. Существенного повышения надежности достигают применением мостовой схемы каскада ( фиг. [57]
Стабилизированное напряженке 5В, получаемое с помощью стабилитрона Д28, подается в селекторные ячейки для предотвращения насыщения коллекторных переходов транзисторов Т2 при обрыве или отключении сигнальных ламп. [58]
В колебательный контур генератора входят катушка LK, емкость варикапа Д1 ( конденсаторы С3, Сь и емкость коллекторного перехода транзистора, который включен по схеме ОБ. [59]
Явление прокола, которое также ограничивает рабочее напряжение транзисторов, заключается в том, что при подаче напряжения на коллекторный переход транзистора ( полученного путем сплавления или двусторонней диффузии) область пространственного заряда, расширяясь в базу, может достигнуть эмиттерного перехода. При этом входное сопротивление неограниченно возрастает и транзистор теряет усилительные свойства. [60]
Страницы: 1 2 3 4