Коллекторный переход - транзистор
Cтраница 2
Здесь Т - температура коллекторного перехода транзистора; Т0 - температура окружающей среды; RT - тепловое сопротивление транзистора, определяющее передачу тепла от коллекторного перехода к корпусу транзистора и зависящее от теплопроводности материалов, из которых изготовлен транзистор, и его конструкции; RTO - тепловое сопротивление теплоотвода, определяющее передачу тепла от корпуса транзистора в окружающую среду и зависящее от конструкции теплоотвода, теплопроводности материала, из которого он изготовлен, и качества теплового контакта корпуса транзистора с теплоотводом. [16]
 |
Мультивибратор на транзисторах с разным типом проводимости ( о и его временные. [17] |
При высоких напряжениях на коллекторном переходе транзистора в нем возникает ударная ионизация, приводящая к резкому увеличению коллекторного тока, называемого лавинным пробоем. [18]
 |
Двухтактный усилительный трансформаторными связями. [19] |
Мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе транзистора, определяется в основном средним значением однополупериодного усиливаемого тока и зависит от его амплитуды. [20]
В качестве диодов обычно используют коллекторные переходы транзисторов; эмиттерные переходы при этом замкнуты накоротко. Если в ИС нужно иметь два диода, базы которых электрически соединены вместе, вместо диодов используют коллекторный и эмиттер-ный переходы одного транзистора. [21]
Почему при большом входном сигнале коллекторный переход транзистора может оказаться смещенным в прямом направлении, если полярность внешнего источника напряжения в цепи коллектора с сопротивлением нагрузки соответствует обратному включению этого перехода. [22]
 |
Схема генератора с последовательным резонансным контуром в выходной цепи. а - схема с общим эмиттером. б - схема с общей базой. [23] |
Как известно, барьерная емкость коллекторного перехода транзистора зависит от мгновенного напряжения, приложенного к переходу. При увеличении напряжения на коллекторном переходе емкость уменьшается, а при уменьшении напряжения - увеличивается. При прямых напряжениях коллекторная емкость изменяется еще резче за счет добавления диффузионной емкости. [24]
При подаче сигнала напряжение на коллекторном переходе транзистора изменяется, что влечет за собой изменение коллекторной емкости Ск, а следовательно, и Ст. Поскольку эти изменения зависят от величины сигнала, возникают практически неустранимые искажения формы сигнала на выходе всего усилителя. [25]
Катушка индуктивности Lt совместно с емкостями коллекторного перехода транзистора, конденсаторов контура гетеродина и конденсатора С13 образует П - контур, пропускающий полосу частот, соответствующих частотам первого и второго телевизионных каналов. [26]
В работе [6] рассматривается вопрос поведения линейного коллекторного перехода транзистора при протекании через него тока. Приводится окончательный результат в виде графика зависимости смещения коллекторного перехода от плотности тока для различных градиентов концентраций примеси и напряжений на переходе. Расчет проведен для кремниевых п-р - п и р-п - р транзисторов. Аналогично может быть решена задача для германиевого перехода с линейным градиентом. Качественный вывод, который можно сделать из перечисленных выше работ, заключается в том, что поля в переходе с увеличением тока падают, переход расширяется и смещается в область коллекторного контакта. Эти результаты являются предпосылкой к объяснению спада предельной частоты / г на высоких токах, и, следовательно, чем точнее решена задача поведения коллекторного перехода, тем вернее количественный расчет изменения fT с увеличением тока. [27]
В первую очередь это относится к коллекторным переходам транзисторов. Действительно, хороший одиночный германиевый р-п переход вплоть до области ударного, или туннельного, пробоя будет иметь малые обратные токи, и мощность, рассеиваемая на переходе, будет невелика. [28]
В качестве диодов детектора в ИС использованы коллекторные переходы транзисторов; их эмиттерные переходы замкнуты накоротко. [29]
В связи с тем, что на коллекторный переход транзистора подано большое напряжение, являющееся ускоряющим для потока носителей заряда, основное количество возбужденных носителей возникает именно на коллекторном переходе и ток возбуждения протекает в цепи база-коллектор. [30]
Страницы: 1 2 3 4