Туннельный переход - электрон
Cтраница 1
Туннельный переход электронов происходит практически мгновенно, что позволяет использовать туннельные диоды для высоких рабочих частот - порядка 1011 Гц. Кроме того, туннельные диоды потребляют очень малую мощность и устойчивы к действию ядерной радиации. [1]
Туннельный переход электронов происходит практически мгновенно, что позволяет использовать туннельные диоды для высоких рабочих частот - порядка 10 Гц. Туннельный диод может работать как при низкой температуре ( до - 200 С), так и при более высокой температуре ( до 4 - 150 С), так как при туннельном переходе электроны не расходуют своей энергии. [2]
Туннельный переход электронов происходит практически мгновенно, что позволяет использовать туннельные диоды для высоких рабочих частот - порядка 1011 Гц. Кроме того, туннельные диоды потребляют очень малую мощность и устойчивы к действию ядерной радиации. [3]
Туннельный переход электрона от амина к дырке завершает процесс. Вероятность туннельного перехода возрастает при уменьшении ионизационного потенциала амина, что позволяет понять эффект конкуренции. [4]
 |
Простейшая схема усилителя с туннельным диодом ( а и график, поясняющий процесс усиления ( б. [5] |
Туннельный переход электронов сквозь потенциальный барьер происходит в чрезвычайно малые промежутки времени: 1 ( Г12 - - 10 - 14с, т.е. 10 - 3 - 10 - 5 не. Поэтому туннельные диоды хорошо работают на сверхвысоких частотах. Например, можно генерировать и усиливать колебания с частотой до десятков и даже сотен гигагерц. Следует заметить, что частотный предел работы туннельных диодов практически определяется не инерционностью туннельного эффекта, а емкостью самого диода, индуктивностью его выводов и его активным сопротивлением. [6]
Туннельный переход электронов через р-п переход происходит практически мгновенно и составляет 10 - 13 - 10 - 14 сек. [7]
Поскольку туннельный переход электронов через потенциальный барьер можно считать практически безынерционным, время опрокидывания триггера определяется в основном емкостью С, шунтирующей отрицательное сопротивление. [8]
В результате туннельного перехода электрона молекулы к эмиттеру в-во на пов-сти проволоки ионизируется; образовавшиеся ионы десорбируются и переходят в газообразное состояние. Для облегчения десорбции проволоку подогревают, пропуская через нее электрич. Применяется в анализе синтетич. [10]
 |
Энергетические диаграммы л - р-перехода в туннельном диоде при различных. [11] |
В этом случае туннельный переход электронов из области в область р усиливается, так как в области р имеются в валентной зоне свободные уровни, соответствующие таким же энергиям, как энергии уровней, занятых электронами в зоне проводимости области и. А переход электронов из валентной зоны области р ъ область п невозможен, так как уровни, занятые электронами в валентной зоне области р, соответствуют в области п энергетическим уровням запрещенной зоны. Обратный туннельный ток отсутствует, и результирующий туннельный ток достигает максимума. В промежуточных случаях, например когда мпр 0 05 В, существуют и прямой и обратный туннельный токи, но обратный ток меньше прямого. [12]
Позднее Маркус [176] развил теорию туннельного перехода электрона, основанную на существенном допущении, что в переходном состоянии, когда не происходит переноса атомов, электронные орбиты двух реагентов перекрываются очень мало. [13]
В соответствии с гипотезой о туннельном переходе электрона фактором, определяющим скорость реакции электронного обмена, является вероятность проникновения электрона через барьер. [14]
Для электронов внутренних оболочек атомов вероятность туннельного перехода электрона от одного атома к другому оказывается очень малой. Это связано с уменьшением прозрачности потенциального барьера, в результате чего частота v просачивания электрона сквозь потенциальный барьер становится ничтожно малой. Например, для электрона атома Na в основном состоянии v 10 - с и соответственно среднее время жизни такою электрона у данного атома т жН) лет. Следовательно, электроны внутренних оболочек атомов в кристаллах также прочно связаны со своими атомами, как и в изолированных атомах. Энергетические уровни этих электронов в кристалле такие же узкие, как и в отдельно взятом атоме. [15]
Страницы: 1 2 3 4