Туннельный переход - электрон
Cтраница 2
Считая Fi, F2 и вероятность туннельного перехода электрона слабо зависящими от Е, Герни получил закон Тафеля. Введение иф является основным достижением работы Герни. [16]
Для электронов внутренних оболочек атомов вероятность туннельного перехода электрона от одного атома к другому оказывается очень малой. Это связано с уменьшением прозрачности потенциального барьера, в результате чего частота v просачивания электрона сквозь потенциальный барьер становится ничтожно малой. [17]
В теории реакций электронного обмена рассматривается гипотеза туннельного перехода электрона. Эта гипотеза неоднократно встретится в дальнейших главах. Под туннельным переходом подразумевают прохождение электрона через энергетический барьер. Если в реакциях обмена электроном реагенты и продукты реакции идентичны, то изменение стандартной свободной энергии равно нулю. Обычно для исследования подобных реакций применяют изотопный метод, который позволяет определить концентрацию изотопа, находящегося в любом валентном состоянии, и, таким образом, найти скорость обмена электрона между ними. [18]
В случае резонансной перезарядки речь идет о туннельном переходе электрона, и поэтому отсутствие энергии активации теоретически понятно. [19]
При еще большем увеличении напряжения ( выше UВ) туннельные переходы электронов станут невозможны ( рис. 1.22, д), но носители заряда будут преодолевать потенциальный барьер за счет диффузии и прямой ток будет возрастать, как у обычных диодов. [20]
 |
Структура электрического домена.| Энергети ческие зоны полупроводника в сильном электрическом поле. [21] |
Увеличение концентрации носителей в этом случае осуществляется за счет туннельного перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. [22]
Миграция положительного заряда происходит, вероятно, в результате туннельного перехода электрона соседней молекулы к катиону. [23]
При еще большем увеличении напряжения ( U [ /) туннельные переходы электронов станут невозможны ( рис. 16.22, д), но носители заряда будут преодолевать потенциальный барьер за счет диффузии и прямой ток будет возрастать, как у обычных диодов. [24]
В / см. Под влиянием такого сильного неоднородного поля происходит туннельный переход электрона от молекулы к аноду за 10 - 12 с и образуется положительный ион-радикал, который выталкивается этим полем. Обычно при ионизации электрическим полем не происходит значительной фрагментации, и наблюдают в основном молекулярные ионы. Увеличение напряжения приводит к диссоциативной ионизации. Недостатками метода являются низкое значение ионного тока и плохая воспроизводимость масс-спектра. [25]
Согласно другому механизму, называемому туннельным, электропроводность определяется вероятностью межмолекулярного туннельного перехода электронов, иными словами, частотой квантовомеханического без-активационного просачивания сквозь межмолекулярный барьер. Эффективность туннелирования пропорциональна концентрации электронов на возбужденных уровнях, которая в свою очередь экспоненциально растет с увеличением температуры. В некоторых случаях туннельный механизм подтверждается совпадением экспериментальных данных с расчетными, полученными с учетом формы барьеров. Однако и этот механизм, по-видимому, не является главным в случае полимерных полупроводников, потому что согласно теоретическим расчетам он маловероятен для веществ с низкой подвижностью носителей. [26]
Согласно другому механизму - туннельному - электропроводность определяется вероятностью межмолек лйрпого туннельного перехода электронов, т е частотой квантовочеханическпго без кти ватт нового просачивания сквозь меж-молекулярный барьер Эффективность т ннечирования пропорциональна концентрации электронов на вснбужден [ Гь1Х уровнях которая, в свою очередь, эксионек циально растет с температурой В некоторые случаях туннельный чехащпм подтверждается соответствием экспсримсггтз ьныч данных с расчетами, цроведеч-илми на июаалчи чета формой барьенов Однако ч этот механизм, по БНТ. [27]
В данном случае ( при отсутствии внешнего смещения) условия для туннельного перехода электронов слева направо соответствуют условиям туннельного перехода электронов справа налево. [28]
 |
Энергетическая диаграмма / ij pa гетероперехода при наличии обратного ( а и прямого ( б смещения. [29] |
Это будет запорное направление поля, а обратный ток будет образован туннельным переходом электронов из второго полупроводника в первый и дырками, переходящими из первого полупроводника во второй. [30]
Страницы: 1 2 3 4