Туннельный переход - электрон
Cтраница 3
Когда вырождение с обеих сторон достигнуто и барьер достаточно узок, возникают туннельные переходы электронов из зоны проводимости n - области в валентную зону р-области и наоборот. [31]
Это связано с тем, что при обычных темп - pax для осуществления туннельного перехода электрона в металл необходимо, чтобы осп. Если атом приблизится к поверхности на жОКр то уровень энергии электрона в ато. Ферми в металле и W резко уменьшится. С др. стороны, удаление атома от поверхности металла при ж ткр также приводит к резкому уменьшению W. В рабочей режиме полевого ионного микроскопа полуширина этой зоны составляет 0 02 - 0 04 им. [33]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [34] |
С увеличением прямого напряжения результирующий прямой ток возрастает, так как возрастает вероятность туннельного перехода электронов из п - в р-область, а вероятность обратного перехода электронов падает. [35]
Маркус, Зволинский и Эйринг объясняют эти данные влиянием среды и гипотезой о туннельном переходе электрона. Влияние среды определяется ее диэлектрической проницаемостью, ионной силой, электростатическими эффектами и эффектами сольватации. [36]
В другой работе [2] Зволинский, Маркус и Эйринг более подробно обсуждают гипотезу о туннельном переходе электрона. [37]
При рассмотрении условий протекания электронных переходов между ионами в растворе неоднократно высказывалось предположение о возможности туннельных переходов электронов на большие расстояния. Таубо [15] считает такой механизм особенно вероятным как раз для реакции обмена электронами между анионами. [38]
Наличие энергетической щели приводит к экспоненциальной температурной зависимости электронной теплоемкости в сверхпроводящем состоянии, пороговому потенциалу в туннельном переходе электрона и, что наиболее важно, созданию незатухающего тока. [39]
В данном случае ( при отсутствии внешнего смещения) условия для туннельного перехода электронов слева направо соответствуют условиям туннельного перехода электронов справа налево. [40]
Исследование зависимости кинетики процесса электровосстановлония персульфата от общей концентрации электролита в растворе привело нас вначале к выводу, что туннельные переходы электронов, если они имеют место, во всяком случае совершаются на расстоянии, не превышающем нескольких А. Фуражкова исследовали температурный коэффициент этих процессов, который оказался близким к нулю, что, по-видимому, могло служить подтверждением представления, согласно которому мы здесь имеем дело с туннельным переходом. Данные, полученные в самое последнее время, однако, ставят иод сомнение этот вывод. Так, С. И. Ждановым и В. И. Зыковым было доказано, что в случае электровосстановления иона бромата на фоне КС1 или CsCl температурный коэффициент не равен нулю, а является отрицательным. Эти результаты заставляют думать, что при восстановлении аниона на поверхности сильно отрицательно заряженного электрода основную роль играет образование мостиков, в которих связующим звеном являются присутствующие в растворе катионы. Таким образом, основание для допущения туннельного перехода на большие расстояния отпадает. Было бы чрезвычайно интересно уточнить методику измерения скоростей процессов перехода электронов между анионами в растворе, в частности, определить для этого случая роль солевых эффектов и изморить температурный коэффициент. Это позволило бы выяснить, играет ли и в этих условиях роль связывание анионов при помощи промежуточного катионного звена. [41]
Для диодов с туннельным пробоем на обратной ветви вольтампернои характеристики напряженность поля в переходе не является сама по себе достаточной для обеспечения туннельного перехода электронов сквозь р-п переход. [42]
Герни [12] исходил из данных [73] о нейтрализации ионов газа на поверхности металла ( А ем - - А), обусловленной туннельным переходом электрона. [43]
В обычных диодах, имеющих концентрацию примеси в менее легированной области не выше 10 см-3, толщина электронно-дырочного перехода сравнительно велика и вероятность туннельного перехода электронов через потенциальный барьер ничтожно мала. В этих условиях вероятность туннельного перехода электронов через потенциальный барьер оказывается значительной, что и приводит к своеобразному виду характеристики диода. [44]
Маркус, Зволинский и Эйринг ( [178] развили затем количественную теорию, основанную на предварительной перегруппировке координационных сфер в наиболее благоприятную конфигурацию с последующим туннельным переходом электрона от одного реагента к другому через барьер, создаваемый растворителем. Оптимальное расстояние для туннельного эффекта было определено при рассмотрении противоположных влияний возрастающей вероятности туннельного перехода ( л) и возрастающего кулоновского взаимодействия по мере приближения ионных реагентов друг к другу. [45]
Страницы: 1 2 3 4