Туннельный переход - электрон
Cтраница 4
При приложении к туннельному диоду обратного напряжения ( рис. 1.64, ж) обратный ток резко увеличивается и продолжает возрастать с ростом напряжения из-за туннельных переходов электронов валентной зоны - области в зону проводимости п-области. Поэтому туннельный диод обладает высокой проводимостью при обратном включении. [46]
При приложении к туннельному диоду обратного напряжения ( рис. 4.27, ж) обратный ток резко увеличивается и продолжает возрастать с напряжением за счет увеличения туннельного перехода электронов из валентной зоны р-области в зону проводимости га-области. [47]
В основе теоретических исследований процесса туннелирова-ния в биологических системах лежит представление, что перенос электрона между двумя соседними молекулами можно описать в одноэлектронном приближении, рассматривая туннельный переход электрона между двумя одномерными потенциальными ямами, разделенными потенциальным барьером той или иной формы. [48]
В отличие от транзисторов, длительность переходных процессов в импульсных устройствах на туннельных диодах определяется реактивными параметрами - емкостью С и индуктивностью диодов L, так как туннельный переход электронов через потенциальный барьер можно считать практически безынерционным. В режиме переключения напряжения влияние индуктивности диода ( включенной последовательно с высокоомным внешним сопротивлением), также пренебрежимо мало, и длительности фронтов определяются емкостью диода. [49]
При образовании кристалла разность между полной энергией электрона в атоме и высотой потенциального барьера достаточно мала, а потенциальный барьер достаточно узок для того, чтобы стал возможен туннельный переход электронов из одного атома в другой. Вероятность туннельного эффекта велика для валентных электронов и очень мала ( в большинстве случаев исчезающе мала) для электронов внутренних электронных оболочек. [50]
Если на туннельный диод подано прямое напряжение U, то заполненные уровни зоны проводимости n - области оказываются напротив свободных уровней валентной зоны р-области ( рис. 3.28, б) и начинает преобладать туннельный переход электронов из зоны проводимости n - области в валентную зону р-области. Туннельный ток, создаваемый за счет этих переходов, имеет значительно большую величину, чем обычный - диффузионный ток, он достигает максимального значения, когда уровень Ферми n - области совпадает с верхним уровнем валентной зоны р-области, что соответствует напряжению i / i на диоде порядка 40 - 50 мВ для германиевых и 100 - 150 мВ для арсенид-галлие-вых диодов. [51]
 |
Вольт-амперная хар-ка туннельного диода.| ЕП - уровень Ферми. Ev - граница валентной граница зоны проводимости. [52] |
ДИОД ТУННЕЛЬНЫЙ ( tunnel diode; diode tunnel, diode a effet tunnel; Tunneldiode) - ПИ диод с р-л-переходом, области к-рого вырождены ( см. Полупроводник вырожденный), в связи с чем при приложении прямого напряжения осуществляется туннельный переход электронов из п - в / ( - область. Прямая ветвь вольт-амперной хар-ки имеет участок отрицат. Изобретен в 1958 японским ученым Лео Изаки. [53]
Соотношение (4.16), определяющее величину константы скорости реакции обмена электрона, явно выражает возможность конкуренции между двумя путями реакции: легким, когда вследствие большого расстояния между ионами энергия отталкивания реагентов невелика, но в то же время мала вероятность туннельного перехода электрона; и трудным, когда реакция происходит при тесном сближении реагентов, при этом % е близка к единице, однако велика энергия отталкивания. При некотором определенном значении гаь эти две тенденции оказываются сбалансированными и тогда скорость обмена становится максимальной. [54]
 |
Вольт-амперная хар-ка туннельного диода. [55] |
ДИОД ТУННЕЛЬНЫЙ ( tunnel diode; diode tunnel, diode a et fet tunnel; Turmeldiode) - ПП диод с / j - л-переходом, области к-рого вырождены ( см. Полупроводник вырожденный); в сня: ш с чем при приложении прямого напряжения осуществляется туннельный переход электронов из л - в / ( - область. Прямая ветвь вольт-амперной хар-ки имеет участок отрицат. Изобретен в 1958 японским ученым Лео Изаки. [56]
 |
Зонные диаграммы и волыамперная характеристика обращенного. [57] |
Туннельные диоды обладают большим быстродействием. Время туннельного перехода электрона равно т ее0р и составляет величину порядка 10 - 13 с. Это делает отрицательное сопротивление туннельного диода теоретически не зависящим от частоты подаваемого напряжения. На самом деле туннельные диоды работают с меньшим быстродействием. Ограничение наступает из-за емкости р-п перехода и корпуса. [58]
Страницы: 1 2 3 4