Высокотемпературный пик

Cтраница 1

Наиболее мощный высокотемпературный пик связан с переходом из стеклообразного в высокоэластическое состояние. Он располагается в области температур 80 - 85 С. [1]

Самый высокотемпературный пик плавления для этой тем - ( ературной области кристаллизации находится при 225 С. Его [ сложение мало зависит от температуры изотермической крис - аллизации и в то же время четко указывает на то, что при-различ - [ ых скоростях нагревания достигается различная степень совершен-тва кристаллов. При медленном нагревании ( 1 град / мин) температура) ершины пика смещается к 230 С, а при быстром нагревании ( 64 град / мин) умень-цается до 220 С, оставаясь при этом не зависящей от исходной температуры фисталлизации. Таким образом, ясно, что причина существования двух высоко-гемпературных пиков плавления - рекристаллизация. Исходные кристаллы, по-шдимому, мало совершенствуются при екоростях нагревания 1 град / мин и вы - Lie, но способны рекристаллизоваться при плавлении почти так же быстро, как про-юходит плавление. В связи с этим экзотермический пик кристаллизации шблюдается только при более медленных скоростях нагревания. Бергмане 1 Оверберг [19] показали, что скорость образования наиболее высоко-тлавких кристаллов сильно замедляется в присутствии в аморфной фазе высокомолекулярного растворителя поли-2 - 6-диметил-оксифенилена разд. [2]

Отсутствие высокотемпературных пиков в кривых термического высвечивания активированных шелочно-галоидных кристаллов нельзя объяснить каким-либо температурным тушением: Ч. Б. Лу-щик показал [158], что введение в кристалл активатора повышает температуру тушения, а не понижает ее. [3]

Кривые затухания свечения кристалла a - SiC ( 6Я при различных температурах. [4]

Для высокотемпературного пика ( типа 2) скорей всего Tmax Tk, а положение его максимума почти не зависит от соответствующей светосуммы, потому при расчете глубины залегания соответствующих уровней ловушек повторные прилипания не учитывались. [5]

Кривые затухания свечения кристалла a - SiC ( 6Я при различных температурах. [6]

Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь поликарбоната на основе бисфенола А от температуры при 20 кгц. [8]

Наличие высокотемпературного пика объясняется подвижностью молекулярных сегментов большого размера в переменном электрическом поле. Подвижность молекул, обусловливающая появление высокотемпературных пиков на кривых зависимости tg б от температуры, является причиной, вызывающей изменение различных физических свойств при температуре стеклования. [9]

Такое поведение высокотемпературного пика tg6 также подтверждает высказанное ранее предложение о существовании двух типов кристаллитов в ПЭТФ. Действительно, в том случае, если в ПЭТФ, закристаллизованном при температурах, не превышающих 120 С, образуются кристаллиты, состоящие из распрямленных цепей, увеличение х должно препятствовать сегментальному движению в аморфных областях. [10]

Ориентация макромолекул вызывает сдвиг высокотемпературного пика в сторону более низких температур; новый пик 66 - 68 появляется при 80 С. Положение его изменяется в зависимости от частоты. С увеличением последней пик сдвигается в область более высоких температур, одновременно становясь более плоским. [11]

Еще одним доказательством того, что наиболее высокотемпературный пик обусловлен F-центрами, является следующий экспериментальный факт. Окраска кристалла полностью исчезает лишь при высвечивании указанного пика, тогда как при исчезновении низкотемпературных пиков окраска кристалла, характерная для F-центров, сохраняется. [12]

Из анализа перечисленных данных следует, что наиболее высокотемпературный пик в кривой термического высвечивания ( 160 - 170 С для КС1 и NaCl) обусловлен тепловым освобождением электронов из F-центров. Действительно, фотохимическое превращение центров захвата, связанных с наиболее высокотемпературным пиком, в другие центры с меньшей энергией локализации ( рис. 45 - 47) происходит только под действием света, соответствующего F-поло-се поглощения. Подобного фотохимического превращения центров не происходит, если облучение рентгенизованного кристалла F-светом производится при низкой температуре. Но именно так должны себя вести F-центры, так как поглощаемый ими свет переводит электроны только на уровни возбуждения F-центров, последующее освобождение с которых происходит под действием тепловых колебаний решетки. Поэтому при достаточно низких температурах возбужденные электроны не попадают в зону проводимости и возвращаются на исходные уровни, вследствие чего разрушение F-центров становится невозможным. [13]

Этот вывод, по мнению авторов [63], подтверждается отсутствием высокотемпературного пика на кривой ДТА цеолита, заполненного метанолом, так как молекулы СН3ОН не должны проникать в кубооктаэдры. Предполагается, что молекулы воды в кубооктаэдрах связаны сильнее, чем в больших полостях, и поэтому десорбция из кубооктаэдров возможна лишь при относительно высоких температурах. Не исключено, что и одна из двух форм прочно связанной воды, выявленных по ИК-спект-рам цеолита Na-A [60], соответствует молекулам Н2О в кубооктаэдрах. [14]

Термическое высвечивание NaCl. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5