Низкотемпературный пик

Cтраница 3

Из рис. 5.46 видно, что увеличение степени переохлаждения приводит к ухудшению фракционирования по молекулярному весу, что выражается в исчезновении первого пика плавления. Низкотемпературный пик соответствует плавлению низкомолекулярного полимера, кристаллизующегося только при охлаждении полимера в смеси воды и льда. Данные о фракционировании при кристаллизации из расплава аналогичны данным фракционирования при кристаллизации из раствора. И те, и другие анализируются более подробно в разд. [31]

Зависимость удельного объема У д ( 1. [32]

При этом низкотемпературный пик связывают с плавлением Р -, а высокотемпературный - а-модификации кристаллов пентапласта. При многократном повышении и снижении температуры среднее положение пика смещается в сторону высокотемпературного пика, что объясняют сокращением числа кристаллов р-формы. Температура плавления, определенная термомеханическим методом, составляет 177 - 179 С. [33]

Зависимость тока термодеполяризации ПЭТФ от температуры в области Г с Для разных режимов поляризации ( при разной кристалличности образцов. [34]

С ростом температуры поляризации низкотемпературный пик постепенно уменьшается и при ГД120 С он не виден совсем; наблюдается только высокотемпературный пик при 84 - 86 С. Двуосная вытяжка пленки приводит к уменьшению тока деполяризации. [35]

Термограммы ЭТА аморфного поликарбоната с разной молекулярной. [36]

Из рис. 83 видно, что при низких температурах поляризации наблюдается довольно большой пик тока при 65 - 68 С и маленький пик ( или уступ) при 81 - 82 С. С ростом температуры поляризации низкотемпературный пик постепенно уменьшается и при 7П120 С он не виден совсем; наблюдается только высокотемпературный пик при 84 - 86 С. Двухосная вытяжка пленки приводит к уменьшению тока деполяризации. При этом резко уменьшается фоновый ток и можно идентифицировать пик при 62 С, проявляющийся обычно в виде уступа. Высокотемпературный пик с увеличением степени кристалличности несколько смещается в сторону более высоких температур. [37]

Наличие низкотемпературного пика объясняют подвижностью СО-группы ( карбонильный диполь) в переменном электрическом поле. Это предположение подтверждается сравнением низкотемпературных пиков tg 6 для полиэтилентерефталата66 и сложных полиэфиров на основе бисфенола А и себациновой, изофталевой и тере-фталевой кислот70 с найденными для поликарбоната на основе бисфенола А. [38]

Все зависит от поперечных сечений рекомбинации различных дырочных и электронных центров и от соотношения между энергиями их тепловой ионизации. Предполагается, например, что наиболее низкотемпературный пик в видимой области обусловлен освобождением положительных дырок из Vi-центров и их рекомбинацией с / - - центрами. Очевидно, что одновременно положительные дырки могут рекомбинировать и с другими электронными центрами, но концентрация F-центров значительно превышает концентрацию остальных электронных центров. Поэтому вероятность встречи положительной дырки с F-цент-ром должна быть больше, чем с другими электронными центрами, вследствие чего процессы рекомбинации положительных дырок с F-центрами будут доминировать. Остальные же пики термовысвечивания как в видимой, так и в ультрафиолетовой областях спектра обусловлены преимущественно термическим освобождением электронов. [39]

Зависимость температур пиков плавления кристаллов полиэтилена. [40]

Кристаллы выращены из транс-декалина при 100 С. Высокотемпературный пик уменьшается по размеру относительно низкотемпературного пика при увеличении скорости нагревание. [41]

На отношение площадей низкотемпературного и высокотемпературного пиков плавления ( геп-лот плавления), по-видимому, не оказывает влияния скорость нагревания в диапазоне 16 - 64 град / мин. Этот факт привел авторов к заключению, что низкотемпературный пик связан с плавлением менее стереорегуляр-ных фракций. [42]

Зависимость потерь при прокаливании вермикулита от температуры обжига. [43]

На рис. 7 изображена термограмма тонкодисперсного вермикулита ( кривая 1) и для сравнения с ней приведена термограмма того же вермикулита, но подвергнутого автоклавной обработке паром в течение 22 час. Разница между ними заключается в смещении для последнего образца низкотемпературного пика с 189 до 166 С и эндоэффекта 577 С в сторону повышения темпе - - ратуры до 605 С. Кривые 3 и 5 ( рис. 7) являются термограммамн искусственных смесей MgO, Mg ( OH) 2 и Si02, подвергнутых гидротермальной обработке. Для этих образцов также отмечается большое сходство термограмм с термограммами тонкодисперсного вермикулита, сунгулита и хлоритов. Большой эндоэффект при 470 С на кривой 3 вызывается дегидратацией непрореагировавшего Mg ( OH) 2, а незначительный эндопик 572 С вызван а - р-переходом кварца. [44]

Возрастание можно объяснить, если предположить, что в этом случае образуются складчатые кристаллы со сравнительно небольшим числом проходных цепей. При этом ослабление межмолекулярного взаимодействия в аморфной прослойке должно приводить к возрастанию низкотемпературного пика tg6, если учитывать, что этот релаксационный процесс обусловлен движением фенильных групп в элементах цепи, находящихся как в кристаллах, так и в аморфной прослойке. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5