Пирамида - рост
Cтраница 1
 |
Форма кристаллической поверхности, выросшей из двух противозначных дислокаций, расстояние между которыми больше диаметра критического центра кристаллизации. [1] |
Пирамида роста, образованная одной спиралью, уже была описана выше; на рис. 8, в изображена пирамида роста, образованная правой дислокацией. Фигура роста на рис. 10 для кристалла нормального парафина образована одной правой винтовой дислокацией. Если расстояние между ними больше диаметра 2рс критического центра кристаллизации, то в результате взаимодействия двух дислокаций получаются замкнутые петли. Если дислокации расположены ближе чем на расстоянии 2рс, то они взаимно блокируют распространение друг друга и рост можег не происходить. [2]
Каждая быстрорастущая пирамида роста кварца имеет свой определенный предел устойчивости, а именно: при повышении температуры роста выше критической пирамида роста проявляет склонность к прокольному росту. [3]
 |
Включения в форме мальтийского креста в кристалле кубической сингонии. Грани исходного зародыша почти совсем исчезли. [4] |
Однако наиболее отчетливо пирамиды роста проявляются при наличии в исходном растворе селективно отлагающихся примесей. [5]
Все эти формы пирамид роста были открыты на гранях кристаллов, выращенных в лабораториях или найденных в природе. [6]
Штрихами показана граница между пирамидами роста. Наложившнеся друг на друга контуры включения в пирамиде роста грани ( 021) - изменения в форме и размерах одного и того же включения в процессе роста. [7]
 |
Скорость роста пленок GaAs / Ge ( а п InAs / GaAs ( б на подложках с ориентацией ( 111 в зависимости от температуры. [8] |
При более высоких температурах возникают пирамиды роста. [9]
 |
Переограпение затравки и образование переходной области в кристаллах АД Р. [10] |
Из рис. 1 видно, что пирамиды роста оформляются габитусными гранями 111 и 110, а не пинакоидом 001, который на подложку наносится искусственно. Если бы затравка была оформлена естественными габитусными гранями 110 и 111, то, очевидно, переогранение не происходило бы. Таким образом, полпцентрпческое переогранение является следствием отклонения ориентации подложки от габптусиых граней и кристаллохимического несоответствия ее поверхности условиям кристаллизации. [11]
В результате включения различных примесей в пирамидах роста граней возникают напряжения, которые изменяют поверхностные энергии граней по отношению к среде и их соотношения между собой. В новом слое эти напряжения увеличиваются за счет дополнительных включений среды. Неравномерное включение примесей способствует постепенному нарастанию напряжений в кристалле, что, в свою очередь, приводит к появлению трещин и разрушению кристалла. [12]
Различия в значениях концентраций парамагнитного азота в разных пирамидах роста кристаллов третьей группы незначительны. Концентрация азота в этих кристаллах в соответствии с окраской существенно изменяется в направлении от центра роста к внешним слоям. [13]
Различия в значениях концентраций парамагнитного азота в разных пирамидах роста кристаллов третьей группы незначительны. Концентрация азота в этих кристаллах в соответствии с окраской существенно изменяется в направлении от центра роста к внешним слоям. [14]
 |
Распределение включений маточного раствора в кристалле при одностороннем его вращении. [15] |
Страницы: 1 2 3 4