Пирамида - рост
Cтраница 3
Изучение эпитаксиальных слоев, наращенных после химической полировки подложек, показало, что в этом случае отсутствуют пирамиды роста, плотность дефектов упаковки снижается на порядок, плотность дислокадиИ не превышает их плотности в подложке. Для выяснения влияния структурного совершенства эпитаксиальных слоев на их электрофизические параметры в зависимости от подготовки подложек проводилось измерение холлов-ской подвижности носителей. Значения подвижности носителей приведены в таблице. Разница в значениях плотности дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях после обработки подложек окисью кремния и химической полировки не приводит к заметной разнице в значениях подвижности. [31]
В зависимости от того, какие атомные плоскости развивались в кристалле вокруг винтовой дислокации, конечная форма пирамиды роста, получающаяся от одной винтовой дислокации, может быть представлена как спираль, развившаяся от начала дислокации по часовой стрелке или против нее. [32]
Гиваргизов [52] обнаружил, что переход через максимум на рис. 3.2 сопровождается изменением морфологии поверхности: вместо пирамид роста правильной формы образуются ровные плато. Сопоставление этого результата с убывающей ветвью кривой на рис. 3.2 свидетельствует о том, что при повышении концентрации GeCl4 рост сопровождается газовым травлением поверхности. [34]
В результате примесь отлагается преимущественно ( или даже исключительно) на определенных гранях кристалла, сосредоточиваясь в соответствующих пирамидах роста. [35]
Пирамида роста, образованная одной спиралью, уже была описана выше; на рис. 8, в изображена пирамида роста, образованная правой дислокацией. Фигура роста на рис. 10 для кристалла нормального парафина образована одной правой винтовой дислокацией. Если расстояние между ними больше диаметра 2рс критического центра кристаллизации, то в результате взаимодействия двух дислокаций получаются замкнутые петли. Если дислокации расположены ближе чем на расстоянии 2рс, то они взаимно блокируют распространение друг друга и рост можег не происходить. [36]
 |
Схема секториального строения кристалла типа структуры песочных часов. [37] |
Если провести внутри кристалла эти линии и поверхности, то его объем будет разделен ими на указанные выше пирамиды роста. Понятие о секториальном строении имеет смысл лишь для реальных кристаллов, образующихся в присутствии приме-гей. Очевидно, что для совершенно однородного кристалла пирамиды роста являются условным понятием. [38]
Центр образуется в кристаллах, выращенных в системе роста, содержащей никель, причем встречается только в спектрах КЛ пирамид роста октаэдра. [40]
Некоторые примеси при выполнении последнего условия способны образовывать по определенным плоскостям закономерные включения, располагающиеся внутри основного кристалла по пирамидам роста. [41]
Каждая быстрорастущая пирамида роста кварца имеет свой определенный предел устойчивости, а именно: при повышении температуры роста выше критической пирамида роста проявляет склонность к прокольному росту. [42]
При скорости испарения 0 7 мг / сек образуется гладкая поверхность, а при ее увеличении в два раза возникают пирамиды роста. [43]
Захват таких включений, которые могут более прочно адсорбироваться на гранях, чем остальной растворитель, зависит от скорости роста и индекса грани пирамиды роста. Поэтому захват этих включений и их распределение имеют секториально-зонарный характер. [44]
На затравочных пластинах, вырезанных перпендикулярно к L3, были получены хорошо ограненные кристаллы корунда с замутненной ( молочного цвета с голубым оттенком) пирамидой роста базисной грани за счет захвата ею мелкочешуйчатой серебристой твердой фазы, выпадающей из расплава одновременно с корундом. [45]
Страницы: 1 2 3 4