Пирамида - рост
Cтраница 4
Рекомендованное рядом авторов [5, 6] травление подложки при температуре, превышающей на 10 - 20 рабочую температуру галлия, приводит к образованию неровной матовой поверхности подложки, хотя плотность пирамид роста несколько снижается. При наращивании пленок на такую подложку искривляется граница раздела подложка - слой. Более эффективным оказалось травление подложки, когда температура галлия снижалась на 10 - 20 ниже температуры подложки. [47]
 |
Изменение скорости роста GaP на GaAs в зависимости от температуры источника при давлении НС1 240 мм рт. ст. [48] |
Ровные гладкие пленки ZnSe кристаллизуются при низких скоростях потока HG1 ( УНШ 1 см3 / мин), а при уНа 11 5 см3 / мин на поверхности образуются ориентированные пирамиды роста. [49]
Эффект аномального плеохроизма дымчатой окраски в пирамидах г кристаллов синтетического кварца был обнаружен Л. И. Цинобером в 1961 г. В том же году А. В. Шубников опубликовал работу о симметрии и физических свойствах пирамид роста. [50]
При разделке кристаллов, полученных на таких затравках на заготовки пьезоэлементов ( в отличие от пьезокварца, производимого рядом зарубежных фирм на стержневых г / - затравках), исключается возможность попадания в резонаторы участков пирамид роста три-гональных призм, содержащих примеси А1 и Na, что гарантирует высокое качество пьезоэлементов, производимых в массовых масштабах из практически монопирамидального однородного кристаллического материала. [51]
 |
Зависимость плотности дефектов упаковки от условий роста ( скорость роста изменяли, регулируя концен - подложки. Вместе с тем, как и при росте. [52] |
Нотис и Конрад [65] отмечают, что при скорости роста около 0 1 мк / мин дефекты упаковки практически отсутствуют, тогда как при ур 1 мк / мин, наряду с увеличением числа дефектов упаковки, образуются также пирамиды роста. [53]
Страницы: 1 2 3 4