Пирамида - рост
Cтраница 2
В одном и том же кристалле включения раствора в пирамидах роста одних граней могут возникать, а в других нет, хотя скорости роста этих граней приблизительно равны и прочие условия роста приблизительно одинаковы. [16]
Ионизирующее облучение не изменяет интенсивность и спектральный тип желтой окраски в пинакоидальной пирамиде роста, что свидетельствует о неструктурном способе внедрения трехвалентного железа, ответственного за цитриновую окраску. По мере увеличения скорости роста и температуры кристаллизации концентрация трехвалентного железа в растворе и растущих кристаллах возрастает и соответственно увеличивается интенсивность окраски, которая приобретает оранжево-красноватый оттенок. Если добавка окисляющих соединений вводится в ограниченном количестве, то вначале на затравку базисной ориентации нарастает цитриновый слой, который в дальнейшем сменяется зеленым кварцем. [17]
Ионизирующее облучение не изменяет интенсивность и спектральный тип желтой окраски в пинакоидальной пирамиде роста, что свидетельствует о неструктурном способе внедрения трехвалентного железа, ответственного за цитриновую окраску. По мере увеличения скорости роста и температуры кристаллизации концентрация трехвалентного железа в растворе и растущих кристаллах возрастает и соответственно увеличивается интенсивность окраски, которая приобретает оранжево-красноватый оттенок. Если добавка окисляющих соединений вводится в ограниченном количестве, то вначале на затравку базисной ориентации нарастает цитриновыи слой, который в дальнейшем сменяется зеленым кварцем. [18]
 |
К определению скорости роста алмаза методом меток для кристаллов размером 1 2 ( а. 0 7 ( б и 0 35 - Ю 4 м ( в, синтезированных при длительном режиме 12 - 102 с. [19] |
Известно, что захват неструктурных примесей в алмазах осуществляется главным образом пирамидами роста граней 100, а интенсивность его возрастает при понижении температуры кристаллизации, что обусловливают изменение окраски кристалла, которая может быть зафиксирована визуально. При введении многократных возмущений образуется система полос ( зон), каждой из которых можно поставить в соответствие время, фиксируемое в момент изменения температурных условий. [20]
Секториальная окраска кристаллов второй группы объясняется различным содержанием парамагнитного азота в разных пирамидах роста. В системе Ni-Мп - С появление таких кристаллов случайно. Сравнительно легко они получаются при специальных режимах синтеза. Секториальная окраска характерна также для кристаллов, синтезированных в обогащенной бором системе Ni-Мп - С. [21]
Поэтому в углах затравки, как в наиболее активных центрах, формируются пирамиды роста. Подобные пирамиды наблюдаются обычно и у эпитаксиальных слоев, где активными центрами являются многочисленные дислокации и другие дефекты структуры. В сущности, и частичное избирательное растворение является тоже процессом переогранения, в результате которого достигается кристаллохимическое соответствие поверхности кристалла и окружающей среды. [22]
Из сказанного понятно, почему включения раствора возникают в первую очередь в пирамидах роста быстрорастущих граней. [23]
В процессе изучения внутренней морфологии синтетического кварца методами травления и термодекорирования в различных пирамидах роста кристаллов были обнаружены линейные дефекты, во многом сходные с так называемыми голубыми лучами, встречающимися довольно часто в кристаллах горного хрусталя. В дальнейшем были выяснены условия образования подобных дефектов в синтетических кристаллах и поставлены специальные ростовые опыты с целью воспроизведения линейных дефектов в контролируемых условиях. На основании полученных данных задолго до применения рентгенотопографических методов выявления структурных несовершенств синтетического кварца был сделан вывод о дислокационной природе линейных дефектов в синтетических и природных кварцах, подтвержденный в дальнейшем результатами систематических рентгеноскопических определений. [24]
 |
Рельефы пинакоида. [25] |
Все сказанное выше о соответствии между характером рельефа поверхности пинакоида и дислокационным строением пирамид роста, казалось бы, позволяет предложить надежный морфологический критерий оценки однородности этих кристаллов. В действительности, однако, все обстоит значительно сложнее. По мере отработки технологии выращивания кристаллов оптического кварца было установлено, что трудно избежать образования ростовых дислокаций в кристалле в процессе роста. Образование рельефа типа булыжная мостовая в чистом виде является лишь предельным случаем. Более характерно - формирование различных комбинированных типов рельефа. [26]
С увеличением скорости роста благодаря повышению концентрации Gel 4 ямки травления на поверхности заменяются пирамидами роста. Повышение температуры подложки уменьшает плотность пирамид, что приводит к образованию относительно гладкой поверхности. Увеличение скорости потока оказывает такой же эффект, как и повышение концентрации. [27]
Анализ секториального распределения окраски, результаты отжига и данные о сравнительном содержании примесей в различных пирамидах роста позволили сразу же высказать предположение о неструктурном характере вхождения пигментирующей примеси железа. [28]
Из рис. 33 ясно, что увеличение температуры кристаллизации способствует очистке от примеси натрия и других пирамид роста. Материал пирамиды с, синтезированный в температурном интервале 520 - 630 К со скоростью 1 мм / сут, не должен мутнеть после прокаливания. [30]
Страницы: 1 2 3 4