Плазма - тлеющий разряд
Cтраница 1
 |
Схема устройства лампы с полым катодом ( ЛПК. [1] |
Плазма тлеющего разряда внутри катода имеет температуру около 800 К; очевидно, что при столь низкой температуре термического возбуждения свечения наблюдаться не может. Согласно развитой в разд. [2]
Плазма тлеющего разряда внутри катода имеет температуру около 800 К - Благодаря относительно малому давлению и низкой температуре лоренцевское и доплеровское уширение линий испускания в лампе с полым катодом существенно меньше ( на - 2 порядка), чем в применяемых атомизаторах, например в пламени. Эффективность работы лампы с полым катодом зависит от ее конструкции и напряжения, которое подводится к электродам. Высокие напряжения и соответственно высокие значения тока приводят к увеличению интенсивности свечения. Однако это преимущество часто приводит к увеличению эффекта Доплера для линии испускания атома металла. Более того, кинетическая энергия иона инертного газа, бомбардирующего внутренние стенки полого катода, зависит от массы иона, напряжения на электродах лампы и числа соударений в единицу времени, которые происходят по мере движения иона инертного газа к катоду. [3]
Плазму тлеющего разряда удобно исследовать методом зондов, разработанным Ленгмюром. [4]
В плазме тлеющего разряда при 1000 С за короткое время ( 0 5 - 1 0 ч) можно получить беспористый диффузионный слой толщиной 0 15 - 0 20 мм, состоящий из а или а - фазы. [5]
В сильно неравновесной плазме тлеющего разряда электронная температура в основном определяется атомами с наименьшим потенциалом ионизации. Поэтому примеси, линии которых начинаются с высоких энергетических уровней, в обычных условиях не возбуждаются, если основной компонент имеет малую энергию ионизации. Хорошо известным примером этого является свечение ртутно-аргоновых ламп, излучающих в основном спектр ртути даже тогда, когда парциальное давление аргона выше давления паров ртути. [6]
С помощью плазмы тлеющего разряда ( при постоянном токе или высокочастотном возбуждении) пары разлагают на составляющие, в результате взаимодействия которых образуется вещество осаждаемой пленки. Аналогичным образом при взаимодействии SiH4 с парами Н2О образуется пленка Si. При разложении паров тетраэтилортосиликата формируется пленка SiO. Метод плазменного осаждения удобен для получения полимерных пленок сложного состава. [7]
Плазменное оксидирование в плазме тлеющего разряда позволяет получать пленки только чрезвычайно низкой толщины ( до 30 нм) при весьма малой скорости образования. Последнее время к таким пленкам появляется заметный интерес в связи с развитием крио - и оптоэлектроники. [8]
 |
Схема установки для нанесения индикаторной массы в плазме. [9] |
При виброобработке в плазме тлеющего разряда ( рис. 4.14) удается закрепить большее количество частиц индикатора на частицах носителя. Процессы, происходящие с частицами индикаторной массы в плазме тлеющего разряда, до конца не ясны. [10]
Источником ионов может служить плазма тлеющего разряда, возникающая в среде инертного газа. Очевидно, что эффективность распыления должна зависеть от количества и энергии ионов, бомбардирующих поверхность мишени, а свойства осаждаемых ( конденсируемых) пленок будут зависеть от сложного комплекса физико-химических процессов взаимодействия распыленных частиц с плазмой и поверхностью конденсации. Поэтому необходимо хотя бы кратко рассмотреть процессы создания такой плазмы и ее свойства. [11]
 |
Характеристика газового разряда. [12] |
Источником ионов может служить плазма тлеющего разряда, возникающая в среде инертного газа или смеси газов. Очевидно, что эффективность распыления должна зависеть от количества и энергии ионов, бомбардирующих поверхность мишени, а свойства осаждаемых ( конденсируемых) пленок зависят от сложного комплекса физико-химических процессов взаимодействия распыленных частиц с плазмой и поверхностью конденсации. Поэтому необходимо хотя бы кратко рассмотреть процессы создания такой плазмы и ее свойства. [13]
Характерным примером неравновесной плазмы является плазма тлеющего разряда или плазма дугового разряда низкого давления; напр. [15]
Страницы: 1 2 3 4