Плазма - тлеющий разряд
Cтраница 2
Классическим примером неизотермической плазмы является плазма тлеющего разряда. Наоборот, в сильноточных дугах плазма становится изотермичной. В дуге электроды и газ сильно раскаляются и происходит в основном термическая ионизация газа, что приводит к изотермичности плазмы. [16]
Расчет кинетики процессов, протекающих в плазме тлеющего разряда, невозможен без знания концентрации зарядов. [17]
При катодном распылении материалов источником ионов является плазма тлеющего разряда, возникающая в среде инертного газа или смеси газов. [18]
 |
Тлеющий разряд и распределение потенциала напряжения в его областях. [19] |
При катодном распылении материалов источником ионов является плазма тлеющего разряда, возникающая в сфере инертного газа или смеси газов. Тлеющий разряд внешне представляет собой свечение пространства между анодом и катодом. [20]
В технологии полупроводников наблюдается тенденция к использованию газовой плазмы тлеющего разряда вместо жидких растворов при травлении материалов под фоторезистами. Большинство органических соединений недостаточно устойчиво в этих жестких условиях, и создание нескольких пригодных для такой обработки фоторезистов потребовало значительных усилий. Конструировать материалы с необходимой комбинацией физических и химических свойств - задача трудная. [21]
 |
Схема установки для рас - [ IMAGE ] Схема установки для нанесе-пыления ионным источником. ния покрытий катодным распылением. [22] |
Положительные ионы инертного газа, источником которых является плазма тлеющего разряда, ускоряются в электрическом поле и бомбардируют катод, вызывая его распыление. [23]
 |
Характеристики пластин для ионообменной ТСХ. [24] |
Предложена также обработка готовых пластин различными модификаторами в плазме тлеющего разряда. Модифицированные пластины могут быть использованы для разделения полярных компонентов смесей, сильно взаимодействующих с исходным, немодифицированным силикагелем. [25]
Толщина образующихся пленок Si02 при разложении тетраэтоксисилана в плазме тлеющего разряда [91] является линейной функцией времени осаждения при постоянной скорости тока кислорода для различных парциальных давлений исходного соединения в реакционной камере. Линейной является также зависимость скорости осаждения пленок Si02 от парциального давления пара тетраэтоксисилана в реакционной камере. С увеличением парциального давления кислорода скорость осаждения пленки уменьшается за счет разложения большей части соединения на стенках камеры и меньшей - на подложке. Скорость осаждения уменьшается также при нагревании подложки до 200 С из-за возникающего конвенктивиого потока от подложки к степкам камеры, приводящего к уменьшению концентрации вещества вблизи подложки. [26]
Одним из важных вопросов при получении тонких пленок в плазме тлеющего разряда является кинетика их образования: Знание кинетических закономерностей необходимо для подбора условий получения тонких пленок. [27]
Методом ЭПР проведено исследование полимерных пленок, полученных в плазме тлеющего разряда. Показано, что пленки содержат значительные концентрации парамагнитных центров. Проведено также сравнительное изучение изменения концентрации ПМЦ со временем при хранении образцов в атмосфере воздуха и в вакууме. Предложена схема рекомбинации радикалов. Изучена зависимость концентрации ПМЦ в вакууме от температуры. [28]
 |
Реальные условия под колпаком при катодном распылении в тлеющем разряде. [29] |
В простейшей двухэлектродной схеме катодного распыления источником ионов, является плазма тлеющего разряда ( рис. 2.13, а), возникающая в среде инертного газа. [30]
Страницы: 1 2 3 4