Пластина - кремний
Cтраница 1
Пластины кремния при проведении эпитаксии помещают в печь с температурой примерно 1200 С. В результате происходящей химической реакции освобождается НС1 и на пластину осаждается элементарный кремний, атомы которого ориентируются в соответствии с осями существующей кристаллической структуры, образуя новые слои монокристаллического кремния. Если в пары HG1 и SiCl4 вводить примеси, то можно получить слой кремния, в котором примеси распределены равномерно. [1]
Пластины кремния с приборами могут припаиваться лицевой гранью вниз к керамической подложке, на которую нанесены тонкопленочные пассивные компоненты и токоведущие межсоединения. [2]
Пластина кремния нагревается за счет радиации от распылителя. [3]
 |
Общий вид слитка и заготовок монокристаллического кремния.| Схема индексации главных плоскостей кубического кристалла. [4] |
Пластины кремния до окисления были механическим путем отполированы, далее они помещались в кварцевую трубу, один конец которой был соединен непосредственно с резервуаром для воды. [5]
Пластины кремния закрепляют во фторопластовый держатель ( можно использовать пинцеты с фторопластовыми наконечниками) и - травят на каждом этапе в СР-8 20 - 30 с или 30 - 40 с в травителе Уайта при комнатной температуре. После травления образцы промывают дистиллированной водой последовательно в трех сосудах. После каждого цикла травления определяют изменение массы пластины Дрг. Процесс повторяют до тех пор, пока изменение массы не станет постоянным. [6]
Пластины кремния помещают в кварцевую трубу, где установлена температура 1100 С. При отключенном увлажнителе осушенный кислород поступает непосредственно в кварцевую трубу. [7]
Пластины кремния полируют, обрабатывают в плавиковой кислоте и промывают в деионизированной воде. На каждой пластине-заготовке изготовляют одновременно свыше 100 интегральных схем. Поверхность пластины окисляют путем нагреза во влажном или сухом кислороде. С локальных участков поверхности пластин, на которых должны размещаться области истока и стока, удаляют слой двуокиси кремния и производят легирование этих областей путем диффузии примесей. [8]
Пластины кремния или кварца помещают на столик проектора и на их поверхность наносят микрошприцем каплю воды. Объем капли должен составлять от 0 5 до 1 0 мкл. Для получения четкого изображения на экране образец капли следует поместить в фокальной плоскости оптической системы проектора. Фиксирующими винтами проектора изображение на экране устанавливают на максимальную резкость. На экране наблюдают изображение нанесенной капли и зарисовывают ее форму на листе чистой бумаги. Затем проводят касательную к поверхности капли в точке, ограничивающей периметр капли, и измеряют угол между касательной и плоскостью подложки. Этот угол является исходным и характеризует начальную степень гидрофильности подложки. [9]
Пластины кремния закрепляют во фторопластовый держатель ( можно использовать пинцеты с фторопластовыми наконечниками) и травят на каждом этапе в СР-8 20 - 30 с или 30 - 40 с в травителе Уайта при комнатной температуре. После травления образцы промывают дистиллированной водой последовательно в трех сосудах. Процесс повторяют до тех пор, пока изменение массы не станет постоянным. [10]
 |
Образование р - п-перехода методом сплавления.| Распределение концентраций при диффузии. [11] |
Затем пластина кремния с заготовкой нагревается в вакууме или в заданной газовой атмосфере, при этом происходит смачивание поверхности пластин электродным материалом и растворение в нем некоторого количества кремния. В качестве электродного материала могут быть использованы алюминий, бор, галлий, индий, являющиеся для кремния акцепторами. [12]
 |
Внешний вид интегральной схемы после операций металлизации и фотографирования. [13] |
Далее пластины кремния разрезают на отдельные схемы. [14]
 |
Сборка интегральных схем. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5