Пластина - кремний
Cтраница 2
Температура пластины кремния с р - - переходами составляет 950 С. [16]
Изготовление пластин кремния или германия такой толщины и работа с ними практически невозможны. Поэтому используют пластины толщиной от 100 до 200 мк. Применение толстых пластин при диффузионной или сплавно-диффузионной технологии изготовления высокочастотных транзисторов приводит к тому, что толщина коллектора является излишней на 80 - 180 мк. Большая толщина коллектора ухудшает частотные свойства транзистора в результате увеличения постоянной времени коллектора г Ск и импульсные свойства вследствие чрезмерно большого сопротивления насыщения коллектора. Кроме того, при этом бесполезно рассеивается мощность на сопротивление коллектора. В толстой и относительно высокоомной коллекторной области обычных транзисторов с диффузионной базой в режиме насыщения прибора накапливается довольно большой заряд, величина которого примерно пропорциональна времени жизни неосновных носителей в этой области. Наличие данного заряда снижает скорость переключения транзисторов в импульсном режиме, так как на рассасывание заряда требуется время, примерно пропорциональное его величине. Ввиду того, что при увеличении концентрации легирующей примеси время жизни неосновных носителей заметно снижается, применение коллектора со структурой пп или рр может уменьшить величину накапливаемого заряда и улучшить тем самым быстродействие транзисторов. [17]
На пластину кремния / с примесью, создающей электронную проводимость, вводят примесь бора путем диффузии в вакууме, в результате чего образуется слой полупроводника с дырочной проводимостью 2 очень малой толщины, так что световые лучи свободно проникают в зону перехода. Батареи кремниевых элементов служат для непосредственного преобразования солнечной энергии в электрическую. Такие преобразователи, называемые солнечными батареями, применяются, например, на искусственных спутниках Земли для питания их аппаратуры. [18]
 |
Устройство полупроводниковых микросхем резистора ( а, конденсатора ( б, транзистора ( в. [19] |
В пластине кремния р-типа создается - область, образующая изолирующий n - p - лереход, затем сильно легированная примесями п область с большим реактивным сопротивлением, являющаяся нижней обкладкой конденсатора. При толщине диэлектрика 0 05 мкм ( напряжение пробоя 50 В) емкость около 50 нФ / см2, что ограничивает общую емкость до нескольких сотен пикофарад. [20]
Подложка ( пластина кремния с проводимостью п-типа) чистится и полируется. [21]
 |
Способ фотолитографии. [22] |
Поскольку поверхность пластин кремния после резки получается весьма неровная, то перед началом основных технологических one раций пластины многократно шлифуют, а затем полируют. На та - кой пластине ( подложке) одновременно формируют в едином тез. Затем пластина разрезается на отдельные кристаллы и осуществляется присоединение выводов и заключение каждого кристалла в корпус. [23]
Предварительная подготовка пластин кремния аналогична описанной для термического окисления. Для создания омического контакта рабочую сторону пластины защищают лаком ХСЛ, а обратную подвергают химическому никелированию. [24]
 |
Схема устройства горизонтальной ( а и вертикальной ( б реакционных камер для эпитаксии. [25] |
Наклонное положение пластин кремния по отношению к потоку - реагентов вызвано необходимостью получать равномерные по толщине эпитаксиальные слои. [26]
Газовое травление пластин кремния представляет собой высокотемпературный процесс поверхностной обработки подложек хлористым водородом. [28]
ИМС в отполированной пластине кремния изготовляют групповым методом: тысячи одинаковых схем формируют одновременно. Затем в пластине алмазным резцом делают насечки по границам схем и разламывают ее на кристаллики. Полученные заготовки снабжают внешними выводами, герметизируют, помещают в корпуса и оформляют в виде серийных электронных приборов. [29]
 |
Установка для термического окисления. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5