Пластина - кремний
Cтраница 3
В камеру помещают пластины кремния и определенное количество воды высокой чистоты, которая нагревается до температуры окисления. Толщина пленки зависит от длительности окисления, давления и концентрации паров воды. [31]
 |
Общий вид вентиля ВК-200 ( а и его разрез без охладителя ( б. [32] |
Если теперь подключить пластины кремния с электронной и дырочной проводимостью под переменное напряжение, то р-п переходный слой будет пропускать ток только в одну сторону и преобразовывать таким образом переменный ток в постоянный. Такой полупроводниковый выпрямитель называют также вентилем. [33]
 |
Этапы изготовления планарного транзистора. [34] |
За основу берется пластина кремния - типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1 - ю оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донорной примеси ( обычнс фосфора) и получается эмиттерный слой. Наконец, через 3 - ю маску напыляют омические контакты ко всем трем электродам и далее методом термоком-прессии осуществляют внешние выводы. [35]
Прибор состоит из пластины кремния с электропроводностью / г-типа, представляющей собой канал полевого транзистора, к торцам которой присоединены два металлических контакта, называемых истоком и стоком. Напряжение источника питания имеет такую полярность, что поток основных носителей заряда ( в канале n - типа электронов) перемещается от истока к стоку. На противоположные грани пластины введены акцепторные примеси, превращающие поверхностные слои в области полупроводника р-типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод, называемый затвором. При этом между каналом и затвором образуются два р-я-перехода. [36]
За основу берется пластина кремния и-типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1-го оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донор-ной примеси ( обычно фосфора) и получается эмиттерный слой. [37]
 |
Дефекты кремния типа птичий след. [38] |
Иногда при травлении пластины кремния дефект типа птичий след выявляется только с одной стороны пластины, а иногда - с обеих. Природа таких дефектов не выяснена, но по всей видимости, так как вблизи этих дефектов растет скорость травления полупроводника, их наличие связано с механическими напряжениями в кремнии. [39]
Каждый раз на окисленную пластину кремния наносят тонкий слой фоторезиста, который засвечивается через фотошаблон от источника ультрафиолетового излучения. [40]
Рассмотрим более подробно слабо легированную пластину кремния р-типа и исследуем область канала, над которой имеется слой двуокиси кремния. Если предположить, что в слое двуокиси кремния имеются захваченные заряды положительных ионов, то у поверхности кремния будет образовываться заряженный слой, состоящий из подвижных электронов в инверсном слое, ионизированных акцепторов в обедненном слое и области постепенного перехода от поверхности к объему кремния р-типа. Следовательно, распределение зарядов будет таким, как показано на рис. 3.4. Однако в этих условиях электрическое поле отсутствует. [41]
Создание схемы в пластине кремния: а - сопротивление; б - диод; в - изоляция двух элементов друг от друга. [42]
Если сравнить феррит и пластины тонкого кремния, то последний является менее стойким к лазерному воздействию, и поэтому рассмотрим несколько подробнее процесс взаимодействия лазерного излучения с кремнием. Спектр поглощения кремния показывает, что только длины волн меньше 1 1 мкм могут быть использованы с достаточно высокой эффективностью для печатания цифр на этом материале, поскольку для более длинных волн кремний становится прозрачным. [43]
При достаточно медленном охлаждении пластины кремния, легированной золотом, концентрация золота будет падать; излишек золота либо диффундирует из кристалла наружу, либо осаждается в виде сгустков, распределенных по объему и являющихся электрически пассивными. Во избежание этого охлаждение должно быть достаточно резким, чтобы сохранить высокую концентрацию золота. [44]
 |
Общий вид пластины кремния после операции фотографирования. а - схематическое изображение пластины. б - внешний вид окисленной. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5