Пластина - кремний
Cтраница 5
Еще больший выигрыш получается при использовании пластин кремния с эпитакеиальным слоем. Напомним, что эпитаксиальное наращивание означает процесс, при котором на подложке выращивается слой материала с кристаллической структурой, повторяющей структуру подложки. [61]
 |
Схема установки для определения пористости SiO2 методом хлорного травления. [62] |
Для определения пористости методом хлорного травления пластины кремния должны быть полированы с двух сторон для того, чтобы слой окисла равномерно покрывал обе повер хности. Травление проводят в течение 15 мин. Затем прекращают подачу хлора и извлекают пластину из реактора. Образец сначала осматривают, а затем исследуют на металлографическом микроскопе. [63]
Процесс ионного легирования заключается в облучении пластин кремния управляемым ( электрическим и магнитным полями) потоком заряженных частиц ( ионов) с энергией от нескольких килоэлектронвольт до нескольких мегаэлектронвольт. Ионы, попадая с большой скоростью и энергией на поверхность пластины, проходят через поверхность и внедряются в кристаллическую решетку, разрушая связи. Проводимый затем отжиг восстанавливает нарушенные связи, и ионы примеси занимают узлы кристаллической решетки, создавая примесную структуру. Этот метод позволяет создавать слои с повышенной концентрацией примеси. Данный процесс проходит значительно быстрее диффузии, поэтому его применяют для создания объемных резисторов интегральных микросхем с номиналами сопротивлений от 10 кОм до 1 мОм, а также биполярных и МДП-микросхем. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5