Пластинка - кремний
Cтраница 1
Пластинка кремния с одним электронно-дырочным переходом обладает способностью пропускать ток лишь в одном направлении. Она впаивается в герметический коридор, и электрический ток к ней подводится по двум электродам. [1]
 |
Характеристика переключения импульсного диода. [2] |
Пластинка кремния и находящаяся с нею в контакте вольфрамовая пружинка помещены в герметичный стеклянный корпус. [3]
 |
Приспособление для расшлифовки пластин. [4] |
Пластинка кремния с напыленным и вплавленным золотом или алюминием закрепляется на подложке, которая подогревается до 250 - 350 С. На пластинку с помощью специального приспособления накладывается золотая или алюминиевая проволока диаметром 15 - 20 мк. [5]
Пластинки кремния, имеющие необходимую толщину, подвергают диффузии галлия при температуре 1300 С. Выбор в качестве диффузанта галлия обусловлен следующим. Из трех наиболее распространенных диффузантов ( бор, алюминий, галлий) алюминий и галлий обладают большим коэффициентом диффузии, чем бор. Но при диффузии галлия переход из дырочной электропроводности в электронную получается более плавным. Кроме того, фронт образованного p - n - перехода оказывается более ровным, так как равномерность проникновения галлия меньше зависит от состояния поверхности кремния ( степени окисления) по сравнению с алюминием. [6]
Пластинку кремния помещают в сосуд и мягкой собольей или верблюжьей кисточкой периодически смахивают пузырьки, которые могут образоваться на ее поверхности. Кисточка сделана из меха китайского соболя и смонтирована на бамбуковой палочке. Применять кисточку в металлической оправке нельзя, так как тра-нитель будет воздействовать на металл и может загрязнить поверхность кремния. [7]
Пластинку кремния с диффузионной структурой шлифуют последовательно тремя сортами тонкого абразива ( суспензия в воде) на стеклянной пластинке под углом 5 к поверхности. После шлифования пластинку кремния травят каплей смеси азотной и плавиковой кислот ( ОД-02 мл 69 5 % HNO3 на 100 мл 48 5 % HF), Каплю наносят на пластинку лишь на время, необходимое для отчетливого обнаружения перехода, и затем быстро смывают водой. Травленая р-область по сравнению с n - областью оказывается значительно темнее. Положение переходов определяется краями темного участка и может фиксироваться при помощи микрометрического микроскопа, снабженного вертикальным осветителем. [8]
Для пластинки кремния толщиной Около 250 мк отношение 12 / DT равно 1 4 мсек. [9]
Напайку пластинки кремния на кристаллодержатель через вольфрамовые диски с успехом используют для компенсации механических напряжений, возникающих в полупроводниковом материале при резких изменениях температуры вследствие разности теплового коэффициента расширения кремния и кристал-лодержателя. [10]
 |
Последовательность изготовления мезатранзистора.| Схема технологического процесса изготовления МОП-структуры. [11] |
В пластинку кремния - типа ( рис. 22.20, а) производится диффузия окиси бора ( B2Os) при температуре 1100 С. Диффузия происходит с двух сторон пластинки. Нижний р-слой удаляют шлифовкой. [12]
 |
Последовательность изготовления полупроводниковой микросхемы. [13] |
На отполированной пластинке кремния р-типа с сопротивлением 5 Ом-см наращивается эпитаксиальный слой кремния n - типа с удельным сопротивлением 0 5 Ом-см толщиной приблизительно 20 мкм. [14]
Прибор состоит из пластинки кремния с электропроводностью п-типа, представляющей собой канал полевого транзистора, на концах которого находятся сильно легированные области, называемые истоком и стоком. Напряжение источника питания имеет такую полярность, что поток основных носителей заряда ( в канале и-типа - электронов) перемещается от истока к стоку. В противоположные грани пластинки внесены акцепторные примеси, превращающие поверхностные слои в области полупроводника р-типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод, называемый затвором. При этом между каналом и затвором образуются два р-п-перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5