Пластинка - кремний
Cтраница 3
При этом предполагается, что диффузия происходите пластинку кремния противоположного типа проводимости с однородной концентрацией примеси. [31]
 |
Схема диффузии алюминия из рекристаллизованного слоя.| Слоистая структура. [32] |
По первому способу алюминий напыляют в вакууме на горячую пластинку кремния. Пленка алюминия расплавляется и в ней растворяется часть кремния. После охлаждения пластины кремния на поверхности образуется рекристаллизованный слой, содержащий значительное количество атомов алюминия. [33]
Методом вплавления или диффузии примесей одновременно с двух сторон пластинки кремния можно создать два р-п-перехода, включенные встречно. Так изготавливают стабилитроны с симметричными вольт-амперными характеристиками. Такие стабилитроны можно применять для защиты различных элементов электрических схем от перенапряжений обеих полярностей. [34]
Методом вплавления или диффузии примесей одновременно с двух сторон пластинки кремния можно сформировать два р-я-перехода, которые при подаче напряжения на крайние области структуры оказываются включенными встречно. Так изготавливают стабилитроны с симметричной вольт-амперной характеристикой - симметричные стабилитроны, которые могут стабилизировать напряжение разной полярности и применяются для защиты различных элементов электрических схем от перенапряжений обеих полярностей. [35]
Для защиты от внешних воздействий и обеспечения хорошего теплоотвода пластинку кремния с электронно-дырочным переходом монтируют в металлическом корпусе ( рис. 3.40), припаивая ее к медному основанию серебряным сплавом или сплавом золота с сурьмой ( 196 сурьмы), чтобы получить невыпрямляющий контакт. Иногда ( для мощных диодов) между медным основанием и пластинкой кремния помещают металлическую прокладку из вольфрама или ковара, имеющую примерно тот же коэффициент линейного расширения, что и кремний. Таким образом, устраняют механические напряжения в кристалле кремния при изменении температуры. [36]
Устройство прибора со встроенным каналом схематически представлено на рис. 6.2. Основой служит пластинка слаболегированного кремния с электропроводностью р-типа. Области стока и истока обладают электропроводностью я - типа. Их соединяет узкая слаболегированная область кремния с электропроводностью и-типа - встроенный канал. Затвор представляет собой металлический слой, изолированный от канала тонким диэлектриком. [37]
В работе Бредлера и Ланга [147] картина муара была получена от двух монокристальных пластинок кремния, ориентированных в ходе эксперимента с небольшим взаимным поворотом. [38]
 |
Схема технологического процесса изготовления планарного транзистора. [39] |
На рис. 6 - 55 изображена схема технологического процесса изготовления планарного транзистора из пластинки кремния с эпитаксиальным слоем. После нанесения оксидного слоя пластинка кремния имеет вид, изображенный на рис. 6 - 55, а. [40]
Получение четырехслойного вентиля со структурой типа р-п-р-п осуществляется путем последовательной диффузии примесей в пластинку кремния с проводимостью типа п ( щ на рис. 54) сначала акцепторной ( р - pz) с двух сторон, а затем донорной ( п2) с одной стороны. Тиристор относится к числу управляемых вентилей и кроме анода А и катода / С имеет управляющий электрод У. [41]
Получение четырехслойного вентиля со структурой типа P-N-P-N осуществляется путем последовательной диффузии примесей в пластинку кремния с проводимостью типа N ( N на рис. 41, а) сначала акцепторной ( Pi - Рг) с двух сторон, а затем донорной ( Ni) с одной стороны. Тирисгор относится к числу управляемых вентилей и кроме анода А и катода К имеет управляющий электрод У. [42]
Переходы Л и / 2 можно, например, изготовить одновременно, обеспечив диффузию галлия в пластинку кремния n - типа. [43]
Силовые ( неуправляемые) кремниевые диоды состоят из катода, изготовленного из вольфрама или молибдена, к которому припаяна пластинка кремния. Затем следует слой кремния с проводимостью гг, запирающий слой и слой кремния с проводимостью р, который контактирует с алюминиевым анодом, вплавленным в кремний. [44]
 |
Конструкция фотодиода ФД-2 в пластмассовом корпусе.| Зависимость выходной мощности и коэффициента преобразования. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5