Пластинка - кремний
Cтраница 4
На основе современных технологических методов создания р - - переходов в СССР разработаны матричные солнечные батареи, представляющие собой пластинку кремния с большим количеством ( до нескольких тысяч) соединенных в батарею микрофотоэлементов. [46]
Наибольшую плотность упаковки элементов ( примерно 1 000 в 1 см.) получают в том случае, если различные области пластинки кремния превращают в диоды, транзисторы, сопротивления, конденсаторы путем применения ряда последовательных процессов диффузии, как это имеет место при изготовлении пленарных транзисторов. Проводники, соединяющие между собой отдельные схемные элементы, могут быть изготовлены путем напыления тонких полосок на промежуточный слой из SiCb. Этот метод позволяет сделать соединительные коммуникации весьма короткими. [47]
На основе современных технологических методов создания p - n - переходов в СССР разработаны матричные солнечные батареи, представляющие собой пластинку кремния с большим количеством ( до нескольких тысяч) соединенных в батарею микрофотоэлементов. [48]
Прибор по варианту б, показанный на рис. 4 6, изготавливался при помощи диффузии донорной примеси с двух стород через поверхность пластинки кремния с дырочной проводимостью. Четвертая область прибора получалась путем вплавления акцепторной примеси в один из слоев с электронной проводимостью, полученных путем диффузии. Прибор по варианту е ( рис. 4 в) был получен при помощи диффузии донорной примеси с двух сторон через поверхность пластинки кремния. [50]
С располагается кварцевая лодочка с диффузантом Р2О5, а во второй зоне с температурой 1000 - 1150 С также в кварцевой лодочке помещаются пластинки кремния. Для переноса фосфора к образцам кремния используется поток азота со скоростью 1000 см3 / мин. [51]
 |
Схема образования побочных максимумов в случае Брэгга.| Кривая отражения по Брэггу, содержащая побочные максимумы ( Si, г - 13 6 мк, 333, GuA a. [52] |
Если в описанном исследовании наблюдались линии равной толщины, то в другой работе Лефельд-Сосновской и Мальгранж [117] были получены побочные максимумы маятникового решения от почти плоскопаралельной пластинки кремния в лучах СиКа и AgKa. [53]
 |
Структура и электрическая схема гибридной интегральной микросхемы.| Изоляция элементов и-р-переходом. [54] |
Как было указано выше, полупроводниковые ИС имеют все элементы выполненными внутри ( в приповерхностном слое) и на поверхности полупроводниковой подложки, называемой кристаллом, которая представляет собой пластинку кремния толщиной 200 - 300 мкм. Размеры кристалла бывают обычно от 1 5 х 1 5 до 6x6 мм. [55]
Основными методами получения р-п переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия. Пластинка кремния с переходом 2 припаивается к кристаллодержателю 4, являющемуся одновременно основанием корпуса. В диффузионных диодах переход образуется при высокой температуре диффузией примеси в кремний из атмосферы, содержащей пары примесного материала. [56]
 |
Конструкция кремниевого диода. [57] |
Основными методами получения р-п переходов для выпрямительных диодов являются сплавление и диффузия. Пластинка кремния с переходом припаивается к кристаллодаржателю, являющемуся одновременно основанием корпуса. К кристаллодержателю приваривается корпус со стеклянным изолятором, через который проходит вывод одного из электродов. В диффузионных диодах переход образуется при высокой температуре диффузией примеси в кремний. Конструкции диффузионных и сплавных выпрямительных диодов аналогичны. Маломощные диоды, обладающие относительно малыми габаритами и весом, имеют гибкие выводы, с помощью которых они монтируются в схемы. [58]
Исходным материалом, образующим впоследствии коллектор, является сравнительно высокоомный кремний с электронной электропроводностью. Поверхность пластинки кремния покрывают защитным слоем SiO2, в котором создаются кольцевые окна. В центральную часть пластинки путем направленной диффузии вводят акцепторную примесь, образующую диффузионную базу с дырочной электропроводностью. На поверхность базы наносится новый слой Si02 с кольцевыми окнами, через которые методом диффузии вводят доноры, образующие эмиттер с повышенной концентрацией носителей. К контактным кольцам методом термокомпрессии присоединяют выводы коллектора, базы и эмиттера. В кремниевой пластинке диаметром 30 мм создают до 400 планарных транзисторов. [59]
 |
Конструкции тиристоров. поднять функции преобразователей. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5