Пластинка - кремний
Cтраница 2
 |
Общий вид пластины кремния после операции фотографирования. а - схематическое изображение пластины. б - внешний вид окисленной. [16] |
В тех местах пластинки кремния, которые были защищены слоем двуокиси SiO2, остаются участки кремния л-типа. Эти области в дальнейшем станут областями коллектора транзисторов и подложкой для диффузионных сопротивлений. Области n - типа разделены областями р-типа, образованными диффузией бора в кремний. [17]
На рис. П-2 изображена пластинка кремния р-типа, в которую с противоположных сторон введены примеси - типа для получения р-п переходов. Нас интересует проводимость канала р-типа между двумя областями я-типа. Предположим, что ток, текущий между истоком и стоком, ограничен каналом р-типа. [18]
Полупроводниковые тензорезиеторы изготовляют из пластинок кремния, германия или иных полупроводников. Физические процессы, вызывающие изменение их сопротивления ири деформации, сравнительно сложны, а ход этих процессов в значительной мере зависит от температуры. Основным преимуществом их является высокая чувствительность, достигающая нескольких сот единиц. [19]
Интегральная схема представляет собой пластинку кремния около 1 5 мм2, в теле которой образованы десятки компонентов транзисторов, диодов и резисторов. Она заменяет электронную схему, содержащую иногда десятки или сотни дискретных компонентов ( транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и пр. [20]
Интегральная схема представляет собой пластинку кремния около 1 5 мм2, в теле которой образованы десятки компонентов транзисторов, диодов и резисторов. Сна заменяет электронную схему, содержащую иногда десятки или сотни дискретных компонентов ( транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и пр. [21]
 |
Преобразованная схема мультивибратора.| Общий вид твердой схемы бистабильного генератора. [22] |
Активным элементом микрологических схем является пластинка кремния с диффузионными переходами и сопротивлениями, образующими единую функциональную схему. [23]
Для этого требуется, чтобы пластинка кремния или германия обладала электропроводностью типа р, а - электропроводность наружных слоев создают путем введения донорных примесей. [24]
Для получения р - п-пере-ходов пластинку кремния с проводимостью - типа подвергают окислению. На окисную пленку напыляют акцепторный элемент - алюминий или бор в составе борного ангидрида. Под действием электронного пучка окисная пленка разрушается, а кремний и алюминий плавятся. Зона расплава имеет форму полусферы или шарового сегмента. [25]
На эту пластинку стронция накладывают пластинку кремния. Выброшенные стронцием электроны попадают в кремний и вызывают там появление новых электронов. В среднем по подсчетам ученых, каждый электрон, попавший в кремний из стронция, выбивает из атомов кремния около 200 тысяч вторичных электронов, которые беспорядочно мечутся по всему объему кремниевой пластинки. [26]
В полупроводниковых интегральных микросхемах на пластинке кремния размером в несколько квадратных миллиметров размещаются сотни и даже тысячи транзисторов. На основе подобных микросхем построены электронно-вычислительные машины, содержащие много миллионов элементов. [27]
В качестве подложки пленарная технология использует пластинку монокрлсталлического кремния и применяет метод контролируемой диффузии примесей в полупроводник из газовой фазы. Диффузия каждый раз должна осуществляться локально, в заданные участки полупроводника через специальные маски. Схемы, изготовленные по этой технологии, включающие активные и пассивные компоненты и выводы от них, расположены с одной стороны полупроводниковой пластины. Параметры транзисторов и полупроводниковых диодов такой схемы обычно удовлетворяют поставленным требованиям. Резисторы же и конденсаторы, изготовленные по этой технологии одновременно с активными компонентами, имеют ряд ограничений как по номиналам, так и по эксплуатационным характеристикам. [28]
По достижении стационарного режима подставку с пластинками кремния быстро вводят в рабочую зону печи. Иногда более удобно извлекать заготовки из печи спустя 3 мин. [29]
Спектры получены после 200 отражений при применении пластинки кремния особой формы с высоким качеством полировки отражающих поверхностей. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5