Коммутационная плата
Cтраница 2
Для изготовления коммутационных плат используют различные диэлектрические и металлические основания, а также процессы тонкопленочной и толстопленочной технологий. [16]
Для получения коммутационных плат с большим числом слоев ( до шести) применяют технологию на основе многослойной керамики. Отдельно изготовляют диэлектрические пластины с толстопленочными проводниками и изоляционные пластины с переходными отверстиями, а затем собирают их в пакет и спекают. Распространена также технология на основе полиимидной пленки. При этом достигается трехуровневая разводка тонкопленочных проводников. Первый уровень формируют на ситалловой подложке, второй и третий - с помощью фотолитографии с обеих сторон полиимидной пленки. Для коммутации между ними в пленке предварительно создают металлизированные отверстия. [17]
Интересен вариант коммутационной платы БГИС, в которой в качестве изоляционного слоя используется стекло марки ФП ( - 14 - 15 мкм), наносимое на ситалловую подложку методом седиментации. В связи с тем, что при оплавлении стекла требуется высокая температура и окислительная среда, в качестве нижнего слоя коммутации используется пленка золота, получаемая методом термовакуумного напыления. Верхний слой коммутации из меди имеет повышенную толщину ( до 10 мкм) для разводки в нем схем питания, наиболее критичных к величине сопротивления. Перед напылением меди края окон в стекле оплавляют для уменьшения влияния ступенек. [18]
Для получения коммутационных плат ГИФУ, кроме отмеченных ранее, используют многоотверстный поликор и прецизионные МПП. Перед получением отверстий обе стороны подложки защищаются тонким слоем ( 0 5 - 1 0 мкм) материала, который впоследствии легко удаляется вместе с частицами керамики, выброшенной энергией луча лазера из отверстий на поверхность подложки. После создания отверстий осуществление двууровневой коммутации на обеих сторонах, подложки аналогично образованию двусторонней коммутации на полиимидной пленке. [19]
Межсоединения на коммутационной плате 2 выполнены методом накрутки на штырьки, вмонтированные в плату. К одному штырьку присоединяют накруткой не более двух проводников. Накрутку производят на автоматических станках с программным управлением от перфокарт. [21]
В этих приборах специальная коммутационная плата обеспечивает возможность измерения на этом пределе сигналов обратной полярности. [22]
Общее число слоев коммутационной платы. [23]
Рациональное использование площади коммутационных плат, автоматизация технологических операции и снижение стоимости производственного процесса являются основными тенденциями в создании современной функционально сложной и надежной РЭА. [24]
Эффективность использования площади коммутационных плат при монтаже на них микросхем в корпусах различных типов иллюстрирует рис. 6.13. В качестве критерия выбрана площадь платы, приходящаяся на один вывод микросхемы. Видно, что микросхемы в корпусе подтипа 2.1 ( см. табл. 1.3), не предназначенного для поверхностного монтажа, имеют худшие характеристики. [25]
Рациональное использование площади коммутационных плат, автоматизация технологических операций и снижение стоимости производственного процесса являются основными тенденциями в создании современной функционально сложной и надежной РЭА. [26]
Эффективность использования площади коммутационных плат при монтаже на них микросхем в корпусах различных типов иллюстрирует рис. 6.13. В качестве критерия выбрана площадь платы, приходящаяся на один вывод микросхемы. Видно, что микросхемы в корпусе подтипа 2.1 ( см. табл. 1.3), не предназначенного для поверхностного монтажа, имеют худшие характеристики. [27]
Рациональное использование площади коммутационных плат, автоматизация технологических операций и снижение стоимости производственного процесса являются основными тенденциями в создании современной функционально сложной и надежной РЭА. [28]
Эффективность использования площади коммутационных плат при монтаже на них микросхем в корпусах различных типов иллюстрирует рис. 6.13. В качестве критерия выбрана площадь платы, приходящаяся на один вывод микросхемы. Видно, что микросхемы в корпусе подтипа 2.1 ( см. табл. 1.3), не предназначенного для поверхностного монтажа, имеют худшие характеристики. [29]
Конструкция из двух многослойных коммутационных плат, герметично соединенных между собой при помощи промежуточной металлизированной рамки, может выступать в качестве корпуса БГИС. [30]
Страницы: 1 2 3 4