Пленка - диэлектрик
Cтраница 1
Пленки диэлектриков широко используются в ИМ для формирования конденсаторных [ металл - диэлектрик-металл ( МДМ) ] и полевых [ металл - диэлектрик - полупроводник ( МДП) ] структур, а также в качестве пассивирующих слоев. В зависимости от области применения требования к характеристикам диэлектрических слоев несколько изменяются. Диэлектрические пленки, используемые в приборах этого типа, должны иметь высокую стабильность и однородность, быть беспористыми, высоко-чистыми и иметь заданные электрофизические параметры. [1]
Пленка диэлектрика должна быть прежде всего плотной, однородной, без пор, во избежание короткого замыкания при осаждении второй обкладки. Желательны материалы с большим значением диэлектрической проницаемости с тем, чтобы при изготовлении больших номиналов емкостей не было необходимости осаждать очень тонкие пленки, так как чем тоньше пленка диэлектрика, тем труднее получить ее беспористой. [2]
Для получения пленок диэлектриков и полупроводников применяют высокочастотное распыление. Оно позволяет проводить катодное распыление при пониженных давлениях и повышает скорость осаждения. [3]
Для получения пленок диэлектриков и полупроводников применяют высокочастотное распыление, так как в диодных системах на постоянном токе поверхность катода заряжается положительными ионами и дальнейшая бомбардировка катода прекращается. Поэтому распыление проводят при переменном ВЧ напряжении. При отрицательной полуволне напряжения на диэлектрическом катоде происходит обычное катодное распыление, при положительной полуволне напряжения накопленный на катоде положительный заряд нейтрализуется вытягиваемыми из плазмы электронами. [4]
На первой стадии пленка диэлектрика, помещенная в ядерный реактор, бомбардируется а-частицами или протонами, которые, пронизывая пленку, оставляют следы поврежденного материала. Считается, что радиоактивные изотопы с энергией а-ча-стиц 4 - 5 МэВ пригодны для облучения пленок толщиной до 10 - 15 мкм. На следующей стадии облученную пленку подвергают химической обработке, в процессе которой поврежденный материал растворяется и в пленке образуются прямые цилиндрические поры. Количество пор на единице поверхности регулируется продолжительностью облучения пленки и энергией радиоактивных частиц. Размер пор определяется температурой, концентрацией раствора и временем химической обработки ( травления) пленки. Для отдельных мембран диаметры пор находятся в пределах от 0 1 до 8 мкм. Серийно выпускают мембраны с размерами пор 0 5 мкм. Однако по пропускной способности при сравнимой тонкости ультрафильтрации нуклепоры превосходят целлюлозные мембраны. [5]
 |
Принципиальная схема интерференционного светофильтра.| Полуширина пропускания светофильтра. [6] |
Показатели преломления смежных слоев пленки диэлектрика должны возможно больше различаться между собой, а оптическая толщина, число и материал слоев определяются требуемой спектральной характеристикой фильтра. [7]
Известны следующие методы изготовления пленок диэлектриков: электрохимическое оксидирование; испарение в вакууме; разложение неорганических соединений; спекание при высокой температуре и др. Наиболее часто используется электрохимическое оксидирование. [8]
Еще одним методом получения пленок диэлектрика является метод реактивного напыления, который представляет собой катодное распыление металла в атмосфере кислорода. [9]
Даже при отсутствии дефектов через пленки диэлектриков протекают значительно большие токи, чем можно ожидать исходя из свойств массивного образца. [10]
 |
Нормализованные переходные характеристики тонкопленочных транзис-юрои на основе a - Si ( данные. [11] |
При плазменном химическом осаждении - пленки диэлектрика и a - Si могут последовательно осаждаться без нарушения вакуума. [12]
 |
Нормализованные переходные характеристики тонкопленочных транзис-юрои па основе a - Si ( данные. [13] |
При плазменном химическом осаждении - пленки диэлектрика и a - Si могут последовательно осаждаться без нарушения вакуума. [14]
Экспериментальные работы по изучению туннельного прохождения тока через пленки диэлектриков ( А12О3, Та2О5, TiCb, Cu2O, SiO, Ge02) показали, что при малых значениях напряжения ток с ростом напряжения возрастает линейно, затем по экспоненте, с последующим замедлением роста. Это объясняется влиянием ловушек в диэлектрике. [15]
Страницы: 1 2 3 4