Пленка - диэлектрик
Cтраница 2
 |
Тонкопленочная индуктивность. [16] |
Обычно все конденсаторы имеют одинаковую толщину диэлектрика, так как пленка диэлектрика создается в едином процессе. Таким образом, все конденсаторы будут иметь одинаковую удельную емкость, которая должна удовлетворять требованиям конденсатора, работающего под наибольшим напряжением. [17]
Слой лака на поверхности бумаги не должен разрушаться растворителем, используемым для получения пленки диэлектрика. [19]
 |
Полупроводниковые элементы. [20] |
Тонкоп лен очные конденсаторы ( рис. 22.2, в) получаются путем осаждения пленки диэлектрика между двумя проводящими пленками из алюминия, образующими пластины конденсатора. Одна из них наносится на слой двуокиси кремния. Благодаря хорошей изоляции от подложки слоем SiO2 конденсатор имеет высокое напряжение пробоя, достигающее сотен вольт. [21]
Тонкопленочные конденсаторы представляют собой обычно трехслойную структуру: два металлических слоя, разделенные пленкой диэлектрика. Максимальная емкость пленочного конденсатора не превышает нескольких тысяч пикофарад. [22]
Отношение разрешающей силы эталона при установке в него металлических зеркал с нанесенными на них интерференционными пленками диэлектриков к разрешающей силе эталона при использовании этих же металлических зеркал без интерференционных покрытий служит мерой эффективности интерференционных пленок; обозначим это отношение через рг. [23]
Из зависимости плотности тока от напряжения при известной высоте потенциального барьера может быть определена толщина пленки диэлектрика Тох с применением итерационного метода расчета, предложенного X. [24]
 |
Поперечное сечение и электрическая схема. [25] |
Наивысшая плотность упаковки достигается при многослойном расположении пленочных элементов с использованием в качестве прокладок между ними пленок диэлектрика. [26]
Гибридные схемы состоят из кремниевой пластины с одним или несколькими диодами и транзисторами, на поверхности которой нанесена пленка диэлектрика - двуокиси кремния. На пленку осаждаются тонкопленочные резисторы и конденсаторы. В этих схемах компоненты имеют параметры с широким значением величин и высокой точностью их выполнения. Паразитные емкости в таких схемах получаются меньшими. Однако стоимость гибридных схем выше, чем монолитных, так как при их изготовлении приходится применять большее количество технологических операций. [27]
Гибридные схемы состоят из кремниевой пластины с одним или несколькими диодами и транзисторами, на поверхности которой нанесена пленка диэлектрика - двуокиси кремния. На пленку осаждаются тонкопленочные резисторы и конденсаторы. В этих схемах компоненты имеют параметры с широким значением величин и высокой точностью их выполнения. Паразитные емкости в таких схемах получаются меньшими. Однако стоимость гибридных схем выше, чем монолитных, так как при их изготовлении приходится применять большее количество технологических операций. [28]
 |
Схема включения с общим истоком МДП транзистора с индуцированным каналом. [29] |
На границе подложки с диэлектриком существует потенциальный барьер: приповерхностный слой - кристалла заряжен отрицательно, а в пленке диэлектрика возникают положительные заряды. Образование этого барьера объясняется следующими физическими явлениями. [30]
Страницы: 1 2 3 4