Пленка - диэлектрик
Cтраница 4
По данным В. П. Смилги [18], исследовавшего влияние температуры на электростатическую составляющую адгезии при контакте двух аморфных тел, сила адгезии может расти и падать при повышении температуры в зависимости от конкретных параметров, контролирующих реакцию в данном случае. Данные по исследованию температурной зависимости адгезии между металлом и пленкой диэлектрика пока неизвестны. Можно предполагать, что и в этом случае температурный коэффициент адгезии может быть положительным или отрицательным, а иногда равным нулю. [46]
 |
Отражение от пленок серебра и алюминия после воздействия воздуха. [47] |
Интерференционные диэлектрические покрытия не применяются вследствие трудностей нанесения и малой прочности пленок диэлектриков при толщине в несколько микрон. [48]
 |
Выходные ( стоковые характеристики ( я и характеристика передачи ( стоко-затворная б МДП транзистора со встроенным каналом р-типа. [49] |
Таким образом, р-п переход почти на всем его протяжении находится под обратным напряжением и движение основных носителей через переход отсутствует. Это условие остается справедливым для любой полярности напряжения на затворе, изолированном пленкой диэлектрика от кристалла полупроводника. Вследствие этого МДП транзистор со встроенным каналом может работать как при отрицательном, так и при положительном напряжении на затворе, в то время как в транзисторе с управляющим р-п переходом напряжение между затвором и кристаллом ( на р-п переходе) должно всегда быть обратным. [50]
Рассмотрим два куска ( называемые в дальнейшем блоками) проводящих материалов, связанных через пленку диэлектрика ( обычно окисла), которая достаточно тонка, чтобы позволить электронам туннелировать через нее. Будем считать поверхность контакта шероховатой, так что закон сохранения поперечного импульса не выполняется: матричные элементы t перехода из любого состояния в левом блоке в любое состояние в правом приблизительно одинаковы. [51]
Диэлектрический датчик давления [44] представляет собой плоский конденсатор, состоящий из тонких металлических обкладок и пленки диэлектрика между ними, которая, по-суще-ству, является чувствительным элементом датчика. Применение диэлектрического датчика основано на регистрации изменения его электрической емкости при сжатии. Предполагается, что изменение емкости датчика обусловлено изменением толщины пленки и ее диэлектрической постоянной, а процессами ударной поляризации можно пренебречь. [52]
Емкостный метод применяют для измерения скорости осаждения только диэлектрических пленок. В основу метода положено измерение малых приращении емкости плоского гребенчатого конденсатора при осаждении на него пленки диэлектриков. Емкость С возрастает вследствие изменения диэлектрической проницаемости. При малых толщинах диэлектрических пленок изменение емкости ДС от толщины диэлектриков практически имеет линейный характер. Измерения приращений емкости производятся с помощью измерительного моста. [53]
Влияние этих факторов резко ослабляется, если число интерференционных пленок ограничить двумя. Этого количества вполне достаточно, чтобы существенно повысить коэффициент отражения металлических зеркал нанесением на их поверхность пленок диэлектриков. [54]
 |
Зависимость пробивного напряжения Е пленок Si3K, от d.| Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь tg 6 ( при частоте 1 мГц. [55] |
Во-первых, это обусловлено возможностью в широких пределах варьировать основными электрическими, механическими и тепловыми параметрами пленки диэлектрика путем подбора состава композиции. [56]
Диэлектрический датчик давления ( 44 ] представляет собой плоский конденсатор, состоящий из тонких металлических обкладок и пленки диэлектрика между ними, которая, по-суще-ству, является чувствительным элементом датчика. Применение диэлектрического датчика основано на регистрации изменения его электрической емкости при сжатии. Предполагается, что изменение емкости датчика обусловлено изменением толщины пленки и ее диэлектрической постоянной, а процессами ударной поляризации можно пренебречь. [57]
Лучшие диэлектрические характеристики имеют монск окись и двуокись кремния. Весьма перспективными являются стеклообразные композиции, позволяющие изменять в широких пределах электрические, механические и тепловые параметры пленки диэлектрика путем подбора компонентов. Сложные стеклообразные составы практически нечувствительны к неоднородности поверхности подложки. [58]
Пленка диэлектрика должна быть прежде всего плотной, однородной, без пор, во избежание короткого замыкания при осаждении второй обкладки. Желательны материалы с большим значением диэлектрической проницаемости с тем, чтобы при изготовлении больших номиналов емкостей не было необходимости осаждать очень тонкие пленки, так как чем тоньше пленка диэлектрика, тем труднее получить ее беспористой. [59]
Страницы: 1 2 3 4