Пленка - диэлектрик
Cтраница 3
 |
Схема электрофотографического процесса на диэлектриках. [31] |
Этого можно избежать, если использовать фотополупроводник лишь для первичного формирования скрытого электростатического изображения, которое затем переносят на пленку диэлектрика и уже здесь проявляют. [32]
Здесь джозефсоновский переход представляет собой сэндвич из двух различных сверхпроводников с тончайшей ( порядка 10 - 7 см) пленкой диэлектрика между ними. При нулевой разности потенциалов, т.е. при отсутствии напряжения на переходе, между сверхпроводниками протекает постоянный сверхпроводящий ток, и в этом нет ничего неожиданного. Но если к переходу Джозефсона приложена постоянная разность потенциалов, на постоянный ток накладывается переменный высокочастотный ток, частота которого прямо пропорциональна значению разности потенциалов. Коэффициент пропорциональности между частотой и напряжением зависит только от фундаментальных физических констант и равен отношению удвоенного заряда электрона к постоянной Планка. [33]
Носители № № 5 и 10 представляют собой сферические частицы диаметром 0 5 - 0 8 мм, покрытые пленкой диэлектрика, обладающей определенными трибоэлектрическими свойствами. [34]
 |
Схема установки ЭГДА [ IMAGE ] Схема установки ЭГДА, дополненная. [35] |
Для этого существующие установки дополняются устройством, представляющим собой конденсатор ( рис. 2), одной из обкладок которого является металлическая пластина, покрытая пленкой диэлектрика, а другой - слой электролита. [36]
Конструкция, изображенная на рис. 1.7, б, характерна для конденсаторов небольшой емкости ( десятки пикофарад, когда для ее получения достаточна площадь взаимного перекрытия двух коммутационных проводников, разделенных пленкой диэлектрика. Емкость такого конденсатора зависит от смещения обкладок из-за неточности совмещения. [37]
В так называемых электролитических конденсаторах с твердым диэлектриком совершенно не используют электролит. Пленку диэлектрика получают электролитическим способом, как и в старых электролитических конденсаторах, однако вместо жидкого электролита или пасты используют твердотельные полупроводники: диоксид марганца МпО2, диоксид свинца РЬО2 или сульфид кадмия CdS. [38]
Криотрон в его совр. Полоски разделены пленкой диэлектрика. При пропускании через вторую полоску управляющего тока создаваемое им магнитное поле разрушает С. На криотронах, как активных схемных элементах, можно построить запоминающее, арифметич. [39]
Пересечение должно быть выполнено так, чтобы паразитная емкость была минимальной. Отсюда стремление увеличивать толщину пленки диэлектрика, что, однако, приводит к появлению ступенек на границе окисла, угол наклона которых изменяется от тупого до острого и может затруднить получение однородного металлизирующего покрытия. Ступеньки образуются и в местах контакта верхнего и нижнего проводниковых слоев. [40]
 |
Схемы включения МДП транзистора со встроенным каналом р-тиоа с общим истоком. [41] |
Эти области соединены тонким ( 2 - 5 нм) поверхностным слоем - каналом / ьтипа. Поверхность кристалла полупроводника покрыта пленкой диэлектрика, обычно двуокисью кремния Si02, толщиной 0 8 - 2 мкм. Поверх этой пленки, над каналом, нанесена металлическая пленка - затвор - толщиной 5 - 7 мкм. С помощью такой же металлической пленки в окнах слоя Si02 над истоком и стоком образованы контакты к этим областям. [42]
На границе пластины - типа с областями р-типа и каналом р-типа образуется p - n - переход, который смещен в обратном направлении. Так как в МДП-транзисторах затвор изолирован от полупроводника пленкой диэлектрика, то эти транзисторы могут работать как при положительном, так и при отрицательном напряжении 1 / зи. [43]
 |
Пленочный конденсатор в интегральном исполнении. [44] |
Из приведенной формулы следует, что при одной и той же площади кристалла емкость конденсатора можно увеличить тремя способами: а) уменьшить расстояние d между обкладками, б) применить многослойную структуру из диэлектрических и металлических слоев, в) использовать диэлектрик с высоким значением электрической постоянной. По современной технологии, однако, не удается получить стабильную пленку диэлектрика тоньше 10 нм и количество слоев больше трех, так как уменьшается плотность и электрическая прочность диэлектрических слоев, возрастают краевые эффекты. [45]
Страницы: 1 2 3 4