Пленка - кремний
Cтраница 1
Пленки кремния на германии имеют высокую плотность дефектов упаковки и дислокаций. [1]
Пленки кремния и германия большой толщины ( 1 - 10 мк) на чужеродных подложках трудно получить вследствие их растрескивания при охлаждении из-за различия коэффициентов термического расширения конденсата и подложки. [2]
Пленки кремния были получены разложением четыреххлори-стого кремния в нейтральной и восстановительной среде и термическим разложением метилхлорсилана; пленки карбида кремния - из метилхлорсилана, порошки моноокиси и двуокиси кремния - окислением четыреххлористого кремния, а моноокись кремния - восстановлением и термическим разложением тонкодисперсной двуокиси кремния. [3]
Пленка кремния, отлагающегося на поверхности при разложении силана, представляет собой металлическое зеркало серебристого цвета, которое при низких температурах имеет выраженное кристаллическое строение, при более высоких - аморфное. [4]
Будет ли осажденная пленка кремния поликристаллической или аморфной, зависит от соотношения между скоростями поверхностной диффузии и поверхностной химической реакции осаждаемых атомов кремния. Увеличение скорости поверхностной диффузии при низкой скорости осаждения и высокой температуре благоприятствует процессам зародышеобра-зования и кристаллизации, формируя поликристаллическую пленку тогда как уменьшение скорости поверхностной диффузии при высокой скорости осаждения и низкой температуре способствует осаждению аморфных кремниевых пленок. [5]
 |
Схематическая структура МОП полевого транзистора на основе поликристаллического кремния.| Подвижность эффекта поля в МОП-полевых. [6] |
Нелегированные поликристал - лические пленки кремния наносились напылением с помощью электрон - ] ной пушки на подложки из стекла Корнинг 7059 площадью 50 мм2 и толщиной 0 8 мм при температуре 500 UC. Структура МОП-полевого транзистора фирмы Toshiba на основе поликристаллического кремния представлена на рис. 6.2.6. После формирования островков поликристаллического кремния методом химического осаждения был получен подзатворный диэлектрик из 8Ю2 толщиной 150 нм. [7]
Известно, что некристаллические пленки кремния и германия имеют плотность на 3 - 15 % ниже плотности кристаллов [ 12, с. При отжиге пленок вплоть до кристаллизации значительно уменьшается их пористость, плотность свободных спинов, внутренних напряжений, диамагнитной восприимчивости - происходит превращение вариационно-дисперсного БП в безвариационный БП, превращение полуразупроч-ненной ультрадисперсной разновидности твердого вещества в упорядоченную кристаллическую. [8]
 |
МДП-прибор с п-кана-лом на сапфировой подложке. [9] |
Последующее избирательное удаление пленки кремния с подложки ( кроме перемычек, несущих межсоединения) позволяет достичь надежной изоляции отдельных элементов. [10]
Проблема зпитаксиального наращивания пленок кремния на монокристаллические подложки из кремния, обладающего иными свойствами, чем наращиваемая пленка, решена удовлетворительно. Ведутся исследования по наращиванию пленок кремния на изолирующие и металлические подложки. [11]
Этими методами были получены пленки кремния и германия с большими монокристаллическими областями. [12]
С использованием потока распыленного Si пленки кремния получают на подложках из графита, муллита, монокристаллического Si и стеклообразного углерода. Толщина пленок достигает 500 мкм. При осаждении кремния на холодные или недостаточно нагретые подложки образуются пленки с размером зерен около 2 мкм. [13]
Многочисленные исследования показали, что пленки кремния, выращенные методом водородного восстановления тетрахлорида кремния или трихлорсилана, монокристалличны, только когда температура подложки превосходит 1030 - 1050 С. Пленки, выращенные при более низких температурах, всегда поликристал-личны. Если учесть, что пленки кремния, выращенные методом диспропорционирования субиодида кремния ( 2SiI2 - SiI4 Si) при температуре порядка 900 С, всегда оказываются монокрис-талличными, то можно сделать вывод о том, что природа и кинетика химических реакций определяют кинетику процесса роста. [14]
Другие пьезосопротивления, на основе пленок кремния, хотя и имеют коэффициент тензочувствительности у50при 200 С, однако, при высоких температурах они гораздо менее чувствительны и значительно менее стабильны. Пленки платины или хрома напыляли на подложки, состоящие из молибденовой ленты толщиной 0 127 мм, покрытой слоем окиси алюминия толщиной 2 5 - 10 - 2 мм и сверху - стеатитом такой же толщины. В такой комбинации достигается высокое удельное сопротивление, требуемое при 600 С, и обеспечивается достаточно гладкая поверхность подложки, необходимая для напыления металлической пленки. [15]
Страницы: 1 2 3 4