Пленка - кремний
Cтраница 3
 |
Структурная схема ПЭП с пьезокерамиче-ским преобразователем. [31] |
Разработан комплекс аналоговых измерительных преобразователей Сапфир [12.23], использующих тензорезистивный эффект в ге-тероэпитаксиальных пленках кремния. Воздействие измеряемого параметра вызывает деформацию чувствительного элемента с токопленоч-ными полупроводниковыми тензорезисторами, которая обусловливает изменение сопротивления, преобразуемого при помощи электронных устройств в токовый выходной сигнал. [32]
 |
Последовательность изготовления полупроводниковой микросхемы. [33] |
Основным полупроводниковым материалом при изготовлении полупроводниковых микросхем является кремний; наиболее удобными оказались пленки кремния, получаемые методом эпитаксиального наращивания. В этом случае процесс изготовления микросхем называют планарно-эпитаксиальным. [34]
 |
Дефекты упаковки на краю дырок золотой пленки.| Механизм генерации дислокаций несоответствия. [35] |
Наиболее достоверные сведения по образованию дефектов из-за поверхностных загрязнений подложки были получены для автоэпитаксиальных пленок кремния. [36]
Вместе с тем отмечается низкое качество структуры кристаллов шпинели и наследование этой структуры растущими пленками кремния. [37]
В некоторых случаях, особенно при больших скоростях роста пленки, даже при температуре подложки 180 С вместо пленок кремния образуются пленки полимера или, возможно, пленки кремния, сильно загрязненные полимером. [38]
 |
Зависимость плотности дефектов упаковки от условий роста ( скорость роста изменяли, регулируя концен - подложки. Вместе с тем, как и при росте. [39] |
Еще одно различие выявляется при сопоставлении, с одной стороны, результатов Букера и др. по изучению структуры пленок кремния, выращенных по силановому процессу [154] и при вакуумной конденсации [186], и, с другой, данных рассмотренной в разд. [40]
Покрытия подразделяют на металлические ( например, пленкой карбида металла - К), неметаллические ( например, пленкой кремния - КМ) и композиционные. Они повышают прочность и износостойкость абразивных зерен, предохраняют их от раскалывания и выкрашивания, обеспечивают лучшее удерживание их связкой, способствуют снижению температуры в зоне резания и улучшают физико-механические свойства связки. [41]
В тензорезисторных преобразователях давления Кристалл и Сапфир избыточное давление вызывает деформацию сапфировой мембраны и выращенного на ней тензорезистора - пленки кремния, включенного в мостовую схему. [42]
В некоторых случаях, особенно при больших скоростях роста пленки, даже при температуре подложки 180 С вместо пленок кремния образуются пленки полимера или, возможно, пленки кремния, сильно загрязненные полимером. [43]
Наряду с упомянутыми методами известно также разложение моно-силана в вакууме, протекающее в широком интервале температур, начиная от 600 С и выше, использованное Джойсом с сотрудниками для получения гомоэпитаксиальных пленок кремния. Этот метод, где подложка содержится в вакууме в процессе нанесения пленки из пара низкого давления ( порядка единиц торр), способствует большей чистоте пленки и производительнее в силу непрерывной откачки продуктов реакции от поверхности, так как скорость диффузии реагента к фронту гетерогенной реакции не является, как в обычных, газотранспортных методах, фактором, лимитирующим процесс роста. Метод прост и надежно контролируется. [44]
При их изготовлении в качестве Исходного полупроводникового кристалла берется пластина низкоомного кремния ( с р0 01 ом-см), на одной из поверхностей которой выращена тонкая ( около 15 мкм) зпитаксиаль-ная пленка кремния того же типа проводимости, но с удельным сопротивлением порядка 0 6 ом см. На этой пленке методами пленарной технологии ( оксидирование поверхности кремния, фотолитография, селективная диффузия) изготавливаются диффузионные р-п переходы. [45]
Страницы: 1 2 3 4