Пленка - кремний
Cтраница 2
Установлена экспоненциальная зависимость скорости роста пленок кремния от температуры подложки при различных плотностях тока электронного луча. На рисуике ( б) видно, что между давлением паров три-этилвинилсилана в камере и скоростью роста пленок в изученном интервале давлений наблюдалась линейная зависимость. [16]
Число дислокаций, выявленных в пленках кремния методом травления, сравнимо с плотностью этих дефектов в подложке ( 102 - 103 CM-Z) при скоростях менее 0 5 мк / мин и тоже стремится к нулю в указанном выше интервале скоростей конденсации. [17]
 |
Элсктронограммы отражения от пленок кремния, полученных при разных температурах и экспозициях. Поток силана 2 - Ю18 мол / см2 - с. [18] |
Ясно, что шероховатости на крае пленки кремния целиком определяются размером зерна. [19]
Диодные характеристики солнечных элементов на основе тонких дендритных пленок кремния, получаемых на подложках из оксида алюминия [22], отличаются от ранее рассмотренных характеристик. Протекание темнового тока в этих элементах обусловлено процессами, происходящими в области пространственного заряда, причем ток изменяется пропорционально квадрату напряжения. Вероятно, важную роль в этих процессах играют глубокие примесные уровни. [20]
Однако авторы отмечают, что, поскольку пленки кремния, осаждаемые методом вакуумного испарения, имеют столбчатую структуру, для получения зерен диаметром 30 мкм потребовалось бы нанести пленку толщиной 50 мкм. Si с размером зерен 5 мкм, осаждаемых с помощью вакуумного испарения), что свидетельствует о существенном влиянии на характеристики элементов несоответствия параметров кристаллических решеток материалов пленки и подложки, степени чистоты поверхности зерен и концентрации легирующей примеси. [21]
Преобразователи работают по принципу тензорезистивного эффекта в гетероэпитаксиальной пленке кремния, нанесенной на поверхность монокристаллической пластинки из сапфира. [22]
 |
Конденсатор совмещенных ИС со структурой полупроводник - окисел - металл.| Конструкции СВЧ элементов тонкопленочных ИС КНС. [23] |
Все элементы тонкопленочных ИС на КНС формируются из пленок кремния различного типа проводимости. [24]
Принцип действия преобразователей основан на тензорезистивном эффекте в гетероэпитаксиальных пленках кремния. Воздействие измеряемого параметра вызывает деформацию специального чувствительного элемента тензопреобразователя с тонкопленочными полупроводниковыми тензорезисторами. [25]
Метод эпитаксии позволяет создавать высокоомные ( более чистые) пленки кремния и германия, исключает трудную технологическую операцию разрезки монокристаллов на тонкие пластины; дает возможность получать сложные полупроводниковые материалы ( например, карбид кремния), производство которых в виде объемных монокристаллов затруднено вследствие высокой стоимости процесса. Применение тонких пленок толщиной 15 - 20 мкм улучшает параметры прибора. Излишняя толщина пластин ухудшает частотные свойства приборов из-за роста потерь. При резке объемных монокристаллов нельзя получить пластины тоньше, чем 100 - 200 мкм. [26]
 |
Участок кремниевой ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. [27] |
Структуры элементов 7 ( транзисторов, резисторов) в пленке кремния получают мето-7 дами планарной технологии. На рис. 2.42 схематически изображен участок ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. Изоляция выполняется с помощью вытравливания эпитаксиальной пленки на всю ее толщину. Затем изготовляются активные элементы. Токи утечки между изолированными таким способом областями практически отсутствуют, а емкости между активными элементами по крайней мере в несколько десятков раз меньше, чем при изоляции р-я-переходом. В итоге быстродействие ИС на сапфировой подложке получается на порядок выше, чем обычных ИС. Особенно заметны преимущества описанного метода изоляции для ИС на МДП-транзисторах: выигрыш в быстродействии достигает почти двух порядков, и МДП ИС по быстродействию становятся сравнимыми с ИС на биполярных транзисторах. Сапфировая подложка может быть заменена шпинелью ( стехиоме-трическое соединение MgO - Al2O3), более близкой к кремнию по своей кристаллической структуре, чем сапфир, и вносящей в кремний меньше примеси. [28]
Фельдман и др. [23] измерили вольт-амперные характеристики нескольких солнечных элементов на основе пленок кремния, полученных методом вакуумного испарения при различных температурах подложки и имеющих неодинаковый размер зерен, и установили, что темновые характеристики отвечают уравнению, содержащему два экспоненциальных члена с пред-экспоненциальными множителями / si и / S2 и диодными коэффициентами п и п2 2, соответствующими диффузионному и рекомбинационно-генерационному механизмам протекания тока. Независимые измерения диффузионной длины носителей заряда и размера зерен показали, что / si уменьшается при возрастании диффузионной длины ( что согласуется с теоретическими результатами), a JS2 понижается при увеличении размера зерен вследствие уменьшения количества рекомбинаци-онных центров. [29]
Влияние предварительного отжига в водороде при 1200 С на плотность дефектов в пленках кремния, выращенных при различных температурах, иллюстрируется данными табл. 2.3. Видно, что чем выше температура роста, тем ниже плотность дефектов и тем раньше сказывается отжиг. [30]
Страницы: 1 2 3 4