Пленка - кремний
Cтраница 4
При tn 900 С германий покрывается поликристаллическим слоем кремния и лишь при температуре подложки, близкой к точке плавления германия, кремний образует на плоскости ( 111) сплошной ориентированный слой. Пленки кремния на германии имеют и-проводимость. [46]
Хорошие результаты получены методом рекристаллизации. При этом пленки кремния наносят на холодную подложку, по которой затем сканирует узкий электронный луч, приводящий к рекристаллизации пленки с образованием монокристалла. [47]
Наиболее положительные результаты в отношении антикоррозионных и других свойств покрытий, а также максимально достижимой его толщины получаются при обработке алюминия и его гомогенных сплавов. Включение в пленку кремния, который не поддается оксидированию и не растворяется в электролите, придает ей темную, пятнистую окраску. Значительное содержание в обрабатываемом сплаве меди приводит к увеличению пористости оксидных пленок. На сплавах, содержащих магний или марганец, формируются покрытия с более хорошими электроизоляционными свойствами, чем на сплавах алюминия с медью. [48]
Эта подложка покрывается затем оксидной пленкой кремния требуемой толщины ( 1 5 мкм) с помощью техники окисления. [50]
Проблема зпитаксиального наращивания пленок кремния на монокристаллические подложки из кремния, обладающего иными свойствами, чем наращиваемая пленка, решена удовлетворительно. Ведутся исследования по наращиванию пленок кремния на изолирующие и металлические подложки. [51]
Для всех пленок наблюдаются [28] кольцевые электронограммы с переменной интенсивностью вдоль кольца. Это указывает на то, что пленки кремния становятся кристаллическими при таких низких температурах осаждения как 400 С, и что все они текстурованы с некоторым отклонением осей текстуры от нормали к поверхности подложки. [52]
Плотность дефектов упаковки резко возрастает, если с поверхности подложки окисный слой не удален. В условиях высокой чистоты эксперимента удается осаждать бездефектные пленки кремния. [53]
 |
Морфология подложки из шпинели после травления в ортофосфор. [54] |
А / мин, и осаждение прекращалось при толщине слоев от 1 до 2 мкм. На рис. 9 представлена микрофотография типичной морфологии поверхности гетероэпитаксиальной пленки кремния и электронограмма, полученная на отражение. На рис. 10 показана микрофотография другой пленки, выращенной при более низкой температуре и более низкой скорости нанесения. [55]
Учитывая трудности определения истинного пересыщения, не исключено, что оценка его величины по методу, использованному Куровым, может дать завышенные результаты. Кроме того, надо считаться с возможностью выращивания достаточно совершенных пленок кремния ( см. разд. Обработанная трави-телем поверхность монокристаллов германия обычно покрыта аморфной пленкой окисла. Как известно, эпитаксиальное осаждение на такую поверхность сопряжено с определенными трудностями. [56]
 |
Прибор для определения мышьяка. [57] |
Интенсивность окраски As ( HgBr) 3 зависит от концентрации мышьяка. Метод применим для определения мышьяка в кремнии и пленках кремния, легированных мышьяком. [58]
Интенсивность окраски As ( HgBr) a зависит от концентрации мышьяка. Метод применим для определения мышьяка в кремнии и пленках кремния, легированных мышьяком. [59]
Другим методом технологии полупроводниковых микросхем является наращивание автоэпитаксиальной или гетеро-эпитаксиальной пленки кремния с определенным типом носителей заряда, например автоэпитаксиального слоя я-типа на подложке кремния р-типа. [60]
Страницы: 1 2 3 4