Пленка - нитрид
Cтраница 1
Пленки нитрида и оксинитрида обладают рядом положительных свойств, обусловивших их немалое использование в полупроводниковой технологии. [1]
Пленки нитридов вольфрама ( WNx), карбидов вольфрама ( WCx) и карбонитридов вольфрама ( WCxNy) используются в качестве барьерных слоев в системах металлизации на основе меди для микросхем с уровнем технологии ( УТ) 130 нм и меньше. Они предотвращают диффузию атомов меди в слои оксида кремния, поликремния и монокремния. [2]
Пленки нитрида тантала осаждаются в процессе LP RE ALD TaN ( TBTDET-Ar Ar atomic H) со скоростью 0 08 нм / цикл при Т 350 С. [3]
Обработка пленок нитрида титана, осажденных в процессах LP LT CVD TIN ( TDMAT-He) и LP LT CVD TIN ( TDEAT-He), в плазме N2 / H2 при Т 400 С позволяет уменьшить их удельное сопротивление ( до 200 мкОм - см), снизить содержание углерода ( до 5 ат. [4]
Если использовать азот, пленка нитрида на поверхности лития ингибирует 3 реакцию. [5]
 |
Установка для ионно-плазменного распыления. [6] |
Характерно, что большинство пленок нитридов и карбидов тугоплавких металлов, полученных при катодном распылении, становится сверхпроводящим при более вы - соких температурах, чем чистые металлы, что, по-видимому, объясняется изменением их структуры в процессе катодного распыления. [7]
О в данные по пленкам нитрида т ри % кремния, полученным высокочастотным напылением. [8]
В [34] исследованы процессы окисления пленок нитрида при различных температурах. В [35] однородные метаста-бильные А1 - О-N фазы, полученные методом магнетронно-го осаждения при использовании А1 - мишени и Аг - О2 - N2 смеси газов при г 190 С и различных давлениях О2 и N2 газов, исследовались методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и электронной спектроскопии с угловым разрешением. Обнаружено формирование богатых кислородом нано-кристаллических А1 - О-N фаз с кубической ( типа у - А12О3) структурой; богатые азотом фазы имеют вюртцитоподобную гексагональную структуру. При O / N - 1 5 получаемые фазы аморфны. [9]
 |
Изотермы скорости реакции образования нитридной пленки. [10] |
Скорость реакции достаточна для образования пленки нитрида толщиной в 500 - 1000 А в короткое время. Однако замедление скорости реакции со временем очень значительно, что свидетельствует р быстром изменении диффузионного коэффициента. Падение скорости привеса может быть очень резким, если в некоторых условиях потери веса за счет улетучивания Si3N4 сравнимы со скоростями привеса. [11]
Для барьерных применений плотность и структура пленок нитрида титана являются основными параметрами, которые управляются выбором параметров процессов ХОГФ и последующей плазменной обработки. С помощью выбора параметров можно получать как аморфные, так и крупнозернистые пленки TiN. Из физики пленок известно, что при высоких температурах доминирует диффузия инородных атомов через зерна пленки, а при низких температурах преобладает диффузия по границам зерен и дефектам в пленке. [12]
При таких условиях обеспечивается скорость осаждения Vd пленок нитрида вольфрама в диапазоне 60 - 160 нм / мин. [13]
Порошок ниобия, нагреваемый при 1200 в атмосфере азота, покрывается пленкой нитрида ниобия. Образование параллельно с окислами азотистых соединений Ниобия имеет место н при простом нагревании этого металла на воздухе. Соединение азота с ниобием происходит также при нагревании ниобия в амлшаке. [14]
Выбор восстановителя ( восстановительного реагента) и танталовых соединений в целях получения пленок нитрида тантала является основной проблемой. [15]
Страницы: 1 2 3 4