Пленка - двуокись - кремний
Cтраница 2
 |
Зависимость скорости коррозии RI. K-OKO.| Коррозия сплава Ре - М 5 Si в кшшщсЛ 30 % - ной Нг5О 1 ( по данным фирмы Duriron. [16] |
Прежде чем успеет образоваться пленка двуокиси кремния, неизбежно происходит некоторое разрушение металла, поэтому начальные скорости коррозии высоки. [17]
Творогов [74] исследовал осаждение пленок двуокиси кремния из тетра-этоксисилана на подложки из молибдена, вольфрама и нихрома. Предварительно подложки травились электрохимически в щелочном растворе, а затем отжигались в вакууме 10 4 мм рт. ст. при 1200 - 1300 С. [18]
Известно, что в пленке двуокиси кремния, покрывающей планарные структуры, может создаваться фиксированный положительный заряд. Наличие на поверхности SiO2 слоя P2O5 SiO2 создает в этом участке избыточную концентрацию ионов кислорода, препятствующую их диффузии от поверхности кремния наружу. [19]
Коррозионная стойкость сплава определяется пленкой двуокиси кремния, образующейся на его поверхности, поэтому окислительные среды ( азотная кислота, концентрированная серная кислота, хромовая кислота и др.) еще больше усиливают защитные свойства пленки. [20]
 |
Процесс изготовления интегральной схемы. [21] |
Через отверстия, протравленные в пленке двуокиси кремния, нанесенной на поверхность пластинки, диффундирует бор, в результате область эпитаксиального слоя под отверстием приобретает электропроводность р - типа. [22]
 |
Последовательность изготовления полупроводниковой микросхемы. [23] |
Через отверстия, протравленные в пленке двуокиси кремния ( рис. 13.3, б), осуществляется диффузия бора, в результате область эпитаксиального слоя под отверстиями приобретает электропроводность р - типа. Как показано на рис. 13.3, в, благодаря этой диффузии образуются электрически изолированные области n - типа для каждого элемента схемы. В каждую область n - типа проводится диффузия для получения транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов, изолированных друг от друга р-п-переходами. [24]
Коррозионная стойкость железокремнистых сплавов определяется пленкой двуокиси кремния, образующейся на их поверхности, поэтому окислительные среды усиливают защитные свойства этой пленки. [25]
Несмотря на ряд положительных свойств, пленки двуокиси кремния имеют недостатки. Это отрицательно отражается на стабильности переходов. [26]
В технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем пленки двуокиси кремния применяют и как источники диффузанта при создании р-п-переходов. [27]
В качестве пленкообразующих веществ используют соединения, образующие пленки двуокисей кремния, тория, циркония, гафния и скандия [73-75], прозрачные для ультрафиолетового излучения. [28]
При исследовании трех конденсаторов, изготовленных из пленок двуокиси кремния толщиной 570, 1530 и 1850 А, осажденных со скоростью 810, 1620 и 1890 А / час, в условиях 70 % - ной относительной влажности, температуре 23 С и приложенном смещении на конденсаторе 10 5 в, установлено, что емкость и тангенс угла диэлектрических потерь у всех трех конденсаторов оставались постоянными в течение 1150 час. [29]
 |
Зависимость фактор растгшпш плети. ] двуокиси ] титана от частоты при разных температурах. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5