Пленка - двуокись - кремний
Cтраница 3
В работе Ц50 ] показана возможность применения пленок двуокиси кремния, осаждаемых из растворов, для создания пленарных биполярных приборов, МОП-транзисторов и конденсаторов. На кремниевую пластину марки КЭФ-05 раствор наносили с помощью центрифуги со скоростью вращения около 1000 об / мин в течение 30 - 35 сек. [31]
В результате такие ионы могут образовывать в пленках двуокиси кремния подвижные объемные заряды, влияющие на свойства перехода. [32]
 |
Квадратная ( а и гексагональная ( б технологические шунтировки перехода / 3. [33] |
Затем с помощью фотолитографии с использованием соответствующих фотошаблонов пленка двуокиси кремния Si02 имеющая толщину примерно 0 5 - 1 мкм, удаляется с одной стороны пластины, за исключением тех локальных участков, где будут располагаться шунты. [34]
Восстановленный германий с примесью осаждается через маску ( пленка двуокиси кремния, препятствующего выращиванию) на поверхность пластинки, образуя слой с той или иной нроводимостью. Меняя автоматически маски, а также тип и концентрацию примесей, можно получить многослойные полупроводниковые структуры, качество которых ( толщина, распределение примесей) весьма высокое. [35]
Нитрид кремния - это аморфный материал, подобный пленкам двуокиси кремния, который может быть получен как в процессах термического выращивания ( нитридизации - nitridization), так и в процессах ХОГФ. [36]
 |
Схематическое устройство печи для диффузии фосфора из Р2О5 в пластины кремния. [37] |
Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, обладающую хорошими защитными свойствами. [38]
При разработке интегральных схем на эпитаксиальных пленках важную роль играет пленка двуокиси кремния, которая препятствует эпитаксиальному наращиванию в определенной области температур. Таким образом можно получать селективное нанесение пленки на незащищенные участки кремния, тогда как пленка двуокиси кремния остается свободной от покрытия и неповрежденной. [39]
Для того чтобы удалить, там где это нужно, пленку двуокиси кремния, необходимо осуществить ее селективное травление. Один из вариантов этой обработки проводится по следующей схеме. На пластину полупроводника, покрытую пленкой окисла, наносится слой фоторезиста - специального фоточувствительного вещества. Затем участки этого слоя, которые должны защитить окисную пленку, освещаются пучком ультрафиолетовых лучей, в результате чего уменьшается их растворимость и увеличивается химическая стойкость. В остальных местах фоторезист удаляется и на обнаженных от резиста участках пленка окисла может быть стравлена. В ряде случаев фотолитография используется не только для локального удаления окисной пленки, но и для защиты при травлении самого полупроводника. Маскировка пленкой двуокиси кремния и процесс фотолитографической обработки используются как для селективной диффузии, так и для селективной металлизации контактных областей в транзисторных структурах. [40]
 |
Процесс изоляции нижнего коммутационного слоя, разработанный фирмой. [41] |
В некоторых случаях изоляция А12О3 может быть усилена нанесением на нее пленки двуокиси кремния толщиной около 0 5 мкм. [42]
Как видно из рис. 4 - 6, с увеличением гидро-фильности пленки двуокиси кремния напряжение смачивания и воды и фоторезиста линейно возрастают. [43]
При изготовлении кремниевых приборов наиболее эффективен метод создания на поверхности полупроводника пленки двуокиси кремния толщиной 0 5 - ь1 мкм. Пленка создается путем нагревания полупроводникового элемента в парах воды или в озоне либо с помощью анодного окисления в безводном растворе при комнатной температуре. Пленка SiO2 предохраняет поверхность полупроводника от дальнейшего окисления и делает его нечувствительным к изменениям окружающей среды. [44]
МДП-структуре Si - SiO2 - ФСС-А1 обусловлена накоплением положительного заряда в пленке двуокиси кремния. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5