Пленка - двуокись - кремний
Cтраница 4
Показано, что селективное травление является удобным способом определения напряжений и плотности пленок двуокиси кремния [165] и различных типов пленок стекла. Помимо напряжений и пористости, состав пленок стекла также влияет на скорость травления. [46]
 |
Сжигание навески в лодочке, помещенной в кварцевую гильзу. [47] |
Черные отложения, по-видимому, состоят из угля и смол, прикрытых спекающейся пленкой двуокиси кремния. Причиной образования черных пленок или налета следует считать бурное термическое разложение вещества, что подтверждают подобные явления, получаемые при перегревах. Вода, испаряющаяся из увлажненных навесок, очевидно, вызывает тот же эффект вследствие усилившейся перегонки вещества с ее парами в зону пламени. [48]
Термическая установка оборудована двумя газовыми системами, предназначенными для подачи водорода и аргона при нанесении пленки двуокиси кремния на германиевые пластины методом пиролитического разложения этилсиликата. [49]
Характерно, что при нагревании до 1400 вначале наблюдается резкое увеличение веса за счет образования пленки двуокиси кремния. В дальнейшем проявляется защитное действие пленки и привес MoSi2 практически приостанавливается. При 1200 процесс образования защитной пленки более замедленный. [50]
При изготовлении германиевых и кремниевых пленарных приборов на поверхности полупроводниковых пластин одновременно с диффузией создают пленку двуокиси кремния, служащую для маскировки отдельных участков кристалла при проведении локальной диффузии, пассивировании и стабилизации поверхности полупроводника, а также изоляции активных и получения пассивных компонентов приборов и микросхем. Высокая температура нанесения пленки двуокиси кремния отрицательно сказывается на электрофизических свойствах полупроводников, способствуя миграции легирующих примесей. [51]
При всех обычных параметрах технологических процессов производства и применяемых глубинах р-п-переходов полностью маскируют кремний и германий пленки двуокиси кремния толщиной - 0 5 мим для мышьяка, сурымы и бора и - il 0 мкм для фосфора. Необходимо отметить, что пленки двуокиси кремния, полученные термическим окислением в разных средах, отличаются маскирующими свойствами. Так, пленки, выращенные в сухом кислороде, имеют более высокую плотность я лучше задерживают диффузан-ты, чем выращенные в парах воды, хотя скорость роста их в парах воды значительно выше, чем в сухом кислороде. [52]
 |
Разрез структуры совмещенной схемы. [53] |
На рис. 12.65 показан разрез небольшого участка совмещенной интегральной схемы с двумя транзисторами, тонкопленочным резистором, напыленным на пленку двуокиси кремния, и - тонкопленочным конденсатором, полученным в результате нанесения трехслойной структуры металл - окисел - металл. [54]
 |
Совмещенная микросхема. [55] |
На рис. 13.32 показан разрез небольшого участка совмещенной интегральной микросхемы с двумя транзисторами, тонкопленочным резистором, напыленным на пленку двуокиси кремния, и тонкопленочным конденсатором. [56]
 |
Структуры диффузионного резистора и пленарного транзистора в полупроводниковой ИС. [57] |
Формирование в кремниевой пластинке отдельных участков разных типов проводимости производят с помощью диффузии примесей через окна, образованные в пленке двуокиси кремния. Для образования таких окон, как правило, применяется метод фотолитографии, включающий в себя нанесение на поверхность кристалла тонкого слоя светочувствительного полимера - фоторезиста. На фоторезист затем проектируется нужный рисунок, и полученное таким образом изображение проявляется. В результате одни участки фоторезиста полимеризуются и прочно сцепляются с основанием, другие - неполимеризованные - удаляются. Через окна, полученные таким образом в слое фоторезиста, производится травление пленки двуокиси кремния. [58]
Несмотря на то что Железокремнистые сплавы являются многофазными, они все же обладают высокими антикоррозионными свойствами вследствие образования на поверхности сплава пленки двуокиси кремния. [59]
Мощные транзисторы могут изготовляться методом планар-ной технологии, особенность которой заключается в том, что граница р - n - переходов защищена пленкой двуокиси кремния SiO2), которая обладает высокими изоляционными свойствами и обеспечивает надежность работы прибора и высокую стабильность параметров. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5