Поликристаллическая пленка
Cтраница 1
 |
Время переключения пленочного сегнето-конденсатора в зависимости от работы выхода материала электрода.| Схема Я. [1] |
Поликристаллические пленки из ти-таната бария могут1 быть получены либо испарением в вакууме, либо электрофорезом. Толщина пленок имеет в первом случае порядок нескольких микрон, а во втором - от 10 до 150 мкм. Влияние температуры на гистерезисные кривые аналогично влиянию температуры у керамических объемных образцов. [2]
Поликристаллические пленки обладают рядом физических особенностей. Проводимость поликристаллической пленки состоит из проводимости по объему кристаллитов и проводимости по межкристаллическим границам. Последнюю составляющую грубо можно охарактеризовать какой-то эффективной шириной меж-кристаллитного слоя и удельной проводимостью. Обычно для монофазных систем ширина межкристаллитного слоя невелика и шунтирующее действие межкристаллических поверхностей незначительно. Однако для легированных пленок происходит взаимодействие между примесями, растворенными в объеме и на поверхности. При этом в зависимости от физико-химических свойств примесей они могут как собираться на границах, так и уходить с границы в объем. Это приводит к резкому изменению проводимости слоев. Именно этим явлением объясняется значительное влияние термообработки легированных слоев на их электропроводность. [3]
Поликристаллические пленки алюминия, полученные на полированной поверхности магниевого сплава, не имеют определенной текстуры; на соответствующей электронограмме алюминиевого покрытия наблюдаются сплошные резкие кольца. [4]
Осажденная поликристаллическая пленка полупроводника обладает столь большой плотностью дефектов, что использование неосновных носителей заряда для создания активных элементов невозможно из-за ничтожно малого времени жизни носителей. [5]
Для поликристаллических пленок была получена значительно меньшая величина - 0 3 эВт что связано с сильной дефектностью этих пленок. [7]
 |
Зависимости напряжений первого рода в пленках Bi0l5Sbi 5Te3 гурах отжига 550 ( 7, 560 ( 2 и 570 К ( 3 [ 183. [8] |
Для поликристаллических пленок была получена значительно меньшая величина - 0 3 эВ, что связано с сильной дефектностью этих пленок. [9]
Кристаллиты поликристаллических пленок, осажденных при повышенной температуре подложки, часто имеют предпочтительную ориентацию, так что один набор кристаллографических плоскостей ( и, v, w параллелен плоскости пленки во всех кристаллитах. Такую структуру называют волокнистой текстурой. Нормаль ( и, v, w к предпочтительным плоскостям является осью волокнистой текстуры. Часто - это направление с малыми значениями индексов. Хорошо известным примером является текстура, ориентированная в плоскости ( 111) гране-центриро-ванных кубических пленок. [10]
 |
Электронно-микроскопический снимок и электронограмма поликристаллической пленки платины, напыленной на стекло при 273 К. [11] |
Для поликристаллических пленок, напыленных при низкой температуре ( 273 К), сложно с высокой точностью установить ориентацию граней, обращенных в газовую фазу. [12]
Недостатком тонкопленочных поликристаллических пленок является низкий уровень стехиометрии и наличие большого количества дефектов, что приводит к снижению подвижности и коэффициента Холла, а также к повыше -, нию уровня шумов. [13]
В поликристаллической пленке с наклонными границами зерен, в том случае, когда соседние зерна находятся в отражающем положении, наблюдаются контуры равной толщины, связывающие точки на границах зерен, лежащие на равной глубине t л / 5эфф ниже поверхности пленки. [14]
В поликристаллических пленках MnBi, MnAIGe, PtCo наблюдается сильный магнитооптический эффект. Однако эти материалы имеют высокую температуру Кюри, близкую к температуре разложения соединения, вследствие чего интервал температур записи недопустимо мал. Кроме того, поскольку пленки являются поликристаллическими, наличие границ зерен приводит к большим шумам при считывании информации. [15]
Страницы: 1 2 3 4